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博士科研启动基金(4051105006)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：刘远李斌姚若河更多>>
相关机构：广东工业大学华南理工大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇栅电容
  • 1篇晶体管
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇非晶硅薄膜晶...
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇表面势

机构

  • 1篇广东工业大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 1篇姚若河
  • 1篇李斌
  • 1篇刘远

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型
2011年
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准确地描述a-Si∶H TFT在所有工作区的动态特性。最后,将模型结果与实验数据进行了对比,两者拟合良好。
刘远姚若河李斌
关键词：非晶硅薄膜晶体管栅电容表面势
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共1页<1>
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