中央高校基本科研业务费专项资金(200807010010)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 相关作者：刘红侠郝跃李劲袁博卢凤铭更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型被引量：2
- 2010年
- 分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
- 刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃
- 关键词：应变硅阈值电压解析模型
- 应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型被引量：4
- 2011年
- 为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该模型与已报道的实验数据结果相符合.同时该模型能够被嵌入到ISE模拟器中,获得与原模拟器内置模型相一致的结果.
- 李斌刘红侠袁博李劲卢凤铭
- 关键词：电子迁移率反型层
- NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析被引量：4
- 2012年
- 通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化.研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.
- 卓青青刘红侠郝跃
- 关键词：单粒子瞬态脉冲
