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国家重点实验室开放基金(9140C3102071001)

作品数：1 被引量：10H指数：1
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相关领域：理学机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇量子阱混杂
  • 1篇空位
  • 1篇混杂法
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇P
  • 1篇GAINAS

机构

  • 1篇长春理工大学

作者

  • 1篇乔忠良
  • 1篇王云华
  • 1篇高欣
  • 1篇白端元
  • 1篇贾宝山
  • 1篇周路
  • 1篇薄报学

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究被引量：10
2012年
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。
周路薄报学王云华贾宝山白端元乔忠良高欣
关键词：激光器量子阱混杂
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