国家高技术研究发展计划(2006AA03Z416)
- 作品数：12 被引量：33H指数：3
- 相关作者：任晓敏黄永清黄辉王琦苗昂更多>>
- 相关机构：北京邮电大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究被引量：2
- 2009年
- 基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。
- 胡钉黄永清吴强李轶群黄辉任晓敏
- 关键词：HBT直流特性
- 基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器被引量：1
- 2007年
- 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.
- 吕吉贺黄辉任晓敏苗昂李轶群王睿黄永清王琦
- 关键词：可调谐光电探测器
- 基于微环谐振腔的耦合谐振光波导反射镜
- 2008年
- 研究了一种基于微环谐振腔的耦合共振光波导反射镜。基于耦合模理论,对这种新型波导反射镜的反射光谱进行了数值分析,详细讨论了直波导与微环谐振腔之间的耦合系数和相邻微环谐振腔之间的耦合系数对反射光谱的影响。计算结果表明这种反射镜的反射光谱存在多峰结构,在弱耦合的情况下可以实现波长选择性反射滤波,并且发现在这种波导反射镜中存在类似于原子系统中电磁诱导透明现象的耦合共振诱导透明现象。
- 徐玉峰黄永清黄辉陈海波任晓敏
- 关键词：微环谐振腔电磁诱导透明
- 采用下行IRZ上行DPSK信号的新型再调制DWDM-PON方案
- 本文提出并实验验证了一种应用于再调制密集波分复用无源光网络（DWDM-PON）的新方案。下行数据采用反转归零码（IRZ）调制,上行数据采用差分相移键控（DPSK）调制,上下行双向都处于高消光比的状态。实验验证了20km范...
- 张锦南袁学光任晓敏黄永清张阳安张明伦
- 关键词：消光比
- 文献传递
- 一种新型集成解复用接收器的设计
- 2008年
- 提出了一种基于楔形F-P腔滤波器的并行探测集成解复用接收器。利用转移矩阵方法对这种新型并行解复用接收器进行了理论分析,给出了并行解复用接收器并行探测四个波长的具体设计实例。最后,使用数值模拟的方法对这种新型并行探测集成解复用接收器的解复用性能和串扰特性进行了计算,并作了分析。
- 杜宏伟徐玉峰黄永清任晓敏
- 关键词：波分复用传输矩阵
- MOCVD反应器热流场的数值模拟研究被引量：13
- 2008年
- 本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。
- 钟树泉任晓敏王琦黄辉黄永清张霞蔡世伟
- 关键词：MOCVD反应器输运过程热对流
- 扫频法精确测量高速光调制器频率响应被引量：3
- 2009年
- 同微波网络一样,可以用S参数来精确描述光电子器件的性能。根据微波网络的S参数,详细推导了光电子器件的S参数。搭建了40GHz高速测试系统,利用矢量网络分析仪(带宽40GHz)和作为参考的标准高速光探测器(带宽45GHz),测量了宽带光强度调制器(实测带宽35GHz)的频率响应。理论上,通过S参数和T参数的互相转换,扣除了微波放大器对测试结果的影响。在120MHz～35GHz范围内,测得的结果与出厂数据取得了很好的一致性。文中通过合理的简化,得到了光调制器频率响应的简明表达式,从而降低了数据处理的复杂度。
- 王松黄永清任晓敏颜强
- 关键词：频率响应S参数光探测器矢量网络分析仪
- 用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2
- 2009年
- 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。
- 李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏
- 1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器被引量：3
- 2009年
- 报道了一种基于InGaNAs/GaAs多量子阱的1.3μmGaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)和InGaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器。探测器的峰值响应波长位于1298.4nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10-13A/μm2。
- 徐玉峰黄永清黄辉倪海桥牛智川任晓敏
- 关键词：光探测器多量子阱
- 基于高频小信号模型的HBT频率特性分析
- 通过采用高频小信号Π型等效模型,研究了电路元件参数对异质结双极晶体管(HBT)高频特性的影响。理论探讨了HBT的频率特性,并对实验室制备的InP基HBT外延片结构进行了频率特性分析。通过PSPICE软件,进行了HBT高频...
- 张欣黄辉黄永清周守利张帅陶彦耘任晓敏
- 关键词：HBTOEIC光接收机
- 文献传递
