中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(C2-32)
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
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- 近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。
- 朱耀明李永富唐恒敬汪洋李淘李雪龚海梅
- InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究
- 2009年
- 采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。
- 宁锦华唐恒敬张可锋李淘李永富李雪龚海梅
- 关键词：感应耦合等离子体INGAASPIN探测器
- 台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究被引量：3
- 2010年
- 制备了一系列不同面积的台面型InGaAs红外探测器,通过周长面积比(P/A)的变化分析了器件的暗电流机制及低频噪声性能。结果表明,在现有的材料和工艺水平下,台面边缘和体内的产生复合电流都在总暗电流中占了较大部分。对测试结构器件的低频噪声测量表明,在反偏下,器件表现出明显的1/f噪声;由于边缘产生复合电流对小尺寸器件的影响大,其产生的噪声使得器件总噪声变大。这些结果表明,以后的工艺改进应注重减少边缘电流和体内产生复合电流。
- 李淘汪洋李永富唐恒敬李雪龚海梅
- 关键词：红外探测器噪声
- InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析
- 2009年
- 在偏振成像和激光功率测量技术领域,凡涉及偏振光的定量测量,都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是由于许多类型的光探测器存在偏振敏感响应引起的。本文对光电探测器的偏振响应进行了分析,推导了光电探测器偏振相关损耗的斯托克斯模型。分析了SiN_x钝化膜对InGaAs探测器偏振响应的影响。结果表明,无SiN_x钝化膜时,随着入射角度的增加,偏振响应损耗明显增加,而随着波长的增加,偏振响应损耗明显降低;采用SiN_x钝化膜时,随着波长的增加,偏振响应损耗先减小后增加。由于设计的SiN_x薄膜的增透中心波长为1550nm,1310nm波长处的偏振响应损耗大于1550nm处的偏振响应损耗。
- 唐恒敬李永富朱耀明李淘李雪龚海梅
- 关键词：光电探测器INGAAS偏振SINX
- 平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究被引量：5
- 2009年
- 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。
- 李永富唐恒敬张可峰李淘宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：隧穿电流暗电流
- InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究被引量：3
- 2009年
- 对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。
- 张可锋唐恒敬李淘李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器暗电流噪声
