国家自然科学基金(51201091)
- 作品数：7 被引量：22H指数：3
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- Al/Ni和Al/Ti纳米多层薄膜制备与表征被引量：5
- 2013年
- 用磁控溅射法制备了Al/Ni、Al/Ti纳米多层薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射仪(XRD)对其进行了结构表征和成分分析。用差示扫描量热法(DSC)测定了纳米多层薄膜的反应放热量。结果表明:工作压力为0.4 Pa,Al、Ni、Ti溅射功率分别为200,220,180 W条件下制备的Al/Ni、Al/Ti多层薄膜表面均匀致密,无尖锐峰,层状结构分明,组成成分分别为Al、Ni和Al、Ti单质状态;Al/Ni、Al/Ti多层薄膜放热量分别为1134.64,918.36 J·g-1,达到理论值的82.2%,80.7%。
- 李东乐朱朋付帅沈瑞琪叶迎华华天丽
- 关键词：军事化学与烟火技术ALAL磁控溅射热分析
- 基于Parylene C的单触发开关性能实验研究被引量：3
- 2015年
- 为了研制具有高导通电流和高导通速率能力的单触发开关,利用微加工技术制备了基于Parylene C的三明治结构单触发开关。在主回路充电电压1.0~1.6kV的范围内,分析了开关触发回路电流、电压特性,导通峰值电流、上升时间、开关延迟时间,并且对单触发开关的电感、电阻做了估算。结果表明,基于Parylene C的单触发开关性能优于基于聚酰亚胺的单触发开关;随着开关加载电压的升高,开关导通的峰值电流呈现不断增大的趋势,但是上升时间几乎不变,其延迟时间分布在1~200μs之间,呈随机性分布,开关电阻随其作用时间增加不断增大。
- 胡博李杰朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志
- 关键词：爆炸箔起爆器微电子机械系统
- 基于Al/MoO_x纳米复合薄膜的含能半导体桥研究被引量：3
- 2013年
- 使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。
- 付帅朱朋叶迎华李东乐沈瑞琪
- Al/MoO_3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响被引量：3
- 2017年
- 使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6μm厚度的Al/MoO_3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响。研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加。
- 官震朱朋叶迎华沈瑞琪
- 关键词：含能材料
- 微型平面复合薄膜电爆炸开关的设计和研究(英文)被引量：3
- 2015年
- 开关技术是影响爆炸箔起爆系统可靠作用、微型化、低能化、集成化的关键技术。电爆炸平面开关是利用强脉冲电流使触发极金属桥箔发生电爆炸,产生高温高压等离子体,使爆炸桥区两侧的电极导通。基于微加工技术,采用Al/CuO复合薄膜材料作为触发电极,设计制造了微型平面复合薄膜电爆炸开关。采用扫描电子显微镜、差示扫描量热法和光谱谱线测温研究了触发极Al/CuO复合薄膜的形貌、反应性和电爆炸等离子体温度,通过放电电流测试研究了开关性能。结果表明,在主回路电压2000V时,开关输出电流峰值约为1938A,上升时间390ns,性能优于仅以铜薄膜为触发电极的电爆炸平面开关。
- 胡博朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志胡艳
- 关键词：爆炸箔起爆器
- Al/MoO_3和Al/Fe_2O_3纳米含能薄膜制备与性能表征被引量：4
- 2013年
- 使用自动控制磁控溅射仪制备纳米级Al/MoO3和Al/Fe2O3含能薄膜,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对其形貌进行分析,使用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜组分,利用差示扫描量热(DSC)进行热力学分析。分析显示,含能薄膜结构完整,层状结构清晰;Al/MoO3纳米薄膜中MoO3有较大部分被还原为Mo2O5和MoO2,Al/Fe2O3纳米薄膜中Fe2O3有部分被还原为FeO,含能薄膜中Al有少部分被氧化为非晶结构的Al2O3。含能薄膜放热峰起始温度较低,活化能较小,反应活性较高,放热量较大,分别为3198和1680J/g。
- 付帅朱朋叶迎华沈瑞琪李东乐
- 关键词：军事化学磁控溅射热分析
- Al/CuO肖特基结换能元芯片的非线性电爆换能特性被引量：4
- 2016年
- 依据肖特基势垒理论,设计并制备了Al/CuO肖特基结换能元芯片。用击穿电压仪研究了换能元芯片的电击穿性能,用电容放电的激发方式研究了芯片的电爆特性。结果表明,对前者,芯片存在发火阈值,具有整流特性,击穿电压与肖特基结的个数无关,击穿电压为8 V;对后者,芯片也存在发火阈值,发火阈值与肖特基结数呈正相关,芯片还具有发火延迟特性。延迟时间的长短与肖特基结数也呈正相关。同时芯片还具有多次激发而连续发火的特性。显示Al/CuO肖特基结换能元芯片是一种具有非线性电爆换能特性的新型电爆换能元。
- 李杰朱朋胡博沈瑞琪叶迎华吴立志
- 关键词：含能材料
