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采用棉花模板制备生物形态Co_3O_4被引量：1: 2009年; 以天然棉花为模板,经硝酸钴溶液浸渍后在自然气氛下高温煅烧得到具有纳米尺度、多孔结构的生物形态Co3O4纤维材料。研究表明:煅烧温度为600℃时,得到的Co3O4纤维不仅完全去除作为模板的棉花,而且还很好地保留了棉花的宏观形貌和微观结构特征。; 李洪峰李嘉王俊

基于喷墨打印技术的聚合物电致发光显示被引量：9: 2009年; 喷墨打印聚合物电致发光显示(PLED)技术具有操作简单、成本低廉、易于产业化的特点。文章介绍和分析了喷墨打印聚合物PLED技术的现状、产业化所面临的问题及其可能的解决途径,探讨了喷墨打印PLED的未来发展趋势。; 彭俊彪刘南柳王坚; 关键词：喷墨打印 PLED 成膜工艺

聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性被引量：8: 2009年; 运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,发现退火温度对空穴迁移率有明显影响,未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级,迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化,退火后样品的空穴迁移率有明显提高,约为10-3cm2/Vs数量级,此时,空穴迁移率受电场影响相对较大.; 尹丽琴彭俊彪; 关键词：空穴迁移率

Stability study of saturated red polymer light-emitting diodes: 2007年; Saturated red polymer light-emitting diodes have been fabricated with a single emitting polymer blend layer of poly[2-(2-ethylhexyloxy)-5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV) and poly[9,9-dioc- tylfluorene-co-4,7-di-2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole] (PFO-DBT15). Saturated red emission with the Commission Internationale de l’Eclairage (CIE) coordinates of (0.67, 0.33) was obtained. The device stability was investigated. The results showed that energy transfer occurred from MEH-PPV to PFO-DBT15, and MEH-PPV improved the hole injection and transportation.; XU Wei PENG JunBiao XU YunHua WANG Jian HUANG Zhe NIU QiaoLi CAO Yong; 关键词：稳定性半导体

MEH-PPV与TiO2共混体系太阳电池性能分析被引量：8: 2009年; 以MEH-PPV(poly(2-methoxy-5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene)为电子给体材料(Donor,D),TiO2纳米线为电子受体材料(Acceptor,A),制成了共混体系太阳电池.从D/A材料共混体系的紫外可见吸收光谱(UV-vis)、光荧光谱(PL)、器件的电荷传输的光导J-V图等方面,分析了MEH-PPV:TiO2体系器件性能变化的原因.得出了当在纯MEH-PPV中掺入TiO2纳米线时,共混体系的太阳电池性能大幅度增加,当D/A比例为1:3时,其太阳电池在AM1.5光照下,其开路电压VOC为0.7V,短路电流密度JSC为0.3mA/cm2,填充因子FF为30.5%,能量转换效率η为0.091%.其能量转换效率比纯MEH-PPV作为活性层器件提高近60倍.发现当共混体系用苯硫酚溶剂回流时,其器件性能又提高了近一倍.; 於黄忠彭俊彪刘金成; 关键词：太阳电池

修饰阴极界面提高聚合物白光二极管发光效率被引量：8: 2009年; 利用聚合物的不同溶解性,研究用旋涂方法制备双层高分子白光二极管(WPLED),采用器件结构为:ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT:PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm)/Al(120nm),当相对比例为PVK:PFO-BT:PFO-DBT=1∶4%:3%时,得到标准白光,最大电流效率为2.4cd/A,最大亮度为3215cd/m2,色坐标为(0.33,0.34).用水溶性的聚电介质层修饰阴极界面,器件效率可以进一步提高到5.28cd/A,色度坐标仍保持在(0.34,0.36),同时器件表现出较好的光谱稳定性.; 邹建华陶洪吴宏滨彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管白光

CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究被引量：7: 2007年; 从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.; 田仁玉阳仁强彭俊彪曹镛; 关键词：聚合物发光二极管电子注入

高效蓝紫光器件的实现:苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混被引量：2: 2006年; 以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层,制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管,研究了共混比例对器件性能的影响.发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优,在发光亮度为105cd/m2时,器件的外量子效率可以达到1.96%,电致发光光谱的峰值位于397nm,半高宽为67nm.分析表明,PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡,是使器件性能明显提升的主要原因.; 田仁玉莫越奇彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管共混

聚合物发光二极管中的负电容效应被引量：5: 2008年; 采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)](PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al的发光器件,交流阻抗谱中出现了负电容效应(negative capacitance),根据对其Cole-Cole图的分析,MEH-PPV/PF-NR2界面的交流响应可用一个RLL并联电路来模拟,实验结果表明,PF-NR2层既是电子传输层同时又充当了空穴阻挡层的作用,并给出了解释这种以PF-NR2/Al为阴极的器件效率提高的微观机理.; 黄文波曾文进王藜彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管交流阻抗谱

新型TPBI/Ag阴极结构的红色有机发光二极管被引量：6: 2009年; 采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采用TPBI/Ag阴极结构的器件外量子效率提高了57%,主要原因是TPBI/Ag阴极界面形成较低的电子注入势垒,有利于电子注入,使器件发光效率明显提高.; 李春彭俊彪曾文进; 关键词：电致发光电子注入阻挡层

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