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SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析被引量：8: 2013年; 静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。; 刘迪陆坚梁海莲顾晓峰; 关键词：静态电流绝缘体上硅扫描电子显微镜

短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量：3: 2013年; 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。; 王睿赵青云朱兆旻顾晓峰; 关键词：表面势阈值电压短沟道效应解析模型

短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型: 2015年; 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。; 赵青云于宝旗苏丽娜顾晓峰; 关键词：表面势阈值电压

2．4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计被引量：1: 2012年; 设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。; 梁海莲董树荣顾晓峰韩雁; 关键词：静电放电低噪声放大器可控硅寄生电容噪声系数

应用于音频芯片的高精度ΣΔ调制器设计被引量：1: 2012年; 低阶单比特量化ΣΔ调制器简单稳定且特别适用于音频领域的模数转换器。提出了一款应用于音频芯片的二阶单比特量化ΣΔ调制器,利用Simulink对调制器进行建模并确定调制器参数与电路子模块指标。该调制器电路采用CSMC0.35μmCMOS工艺实现,工作的电源电压为5V,采用全差分开关电容技术,功耗为12mW,核心面积为390μm×190μm。在采样频率为12MHz、输入信号频率为20kHz时,调制器精度达到16bit,测试结果验证了设计技术和建模方法。; 沈琪王伟印顾晓峰朱晓勇; 关键词：∑△调制器开关电容过采样音频

一种高性能DSP中断系统的研究与设计: 2013年; 提出了一种高性能数字信号处理器中断系统结构,通过中断优先级的灵活可变以及系统仲裁周期的可选择性,提高中断系统的执行效率.由于中断向量表的中断服务例程的可跨越性和中断优先级分组两个特点,提高了中断优先级排列的灵活实用性.通过引入外设控制处理器来作为中断服务的提供商,增加了中断处理的途径.理论分析与仿真结果表明达到了系统中断功能的要求.; 李涌虞致国郭良权; 关键词：数字信号处理器中断向量表中断优先级

微米尺度悬浮式机电器件的电荷穿梭特性: 2013年; 研究限制在电极间并能做自由往复运动的微米尺度金属球的电荷穿梭特性,作为进一步研究纳米机电式穿梭器件的模型器件。通过测量不同电压下的穿梭电流,验证经典模型预测的电流与电压特性。精确测量实时的电荷穿梭信号脉冲,证明该系统中存在模型预测的电荷穿梭电流和模型未能预测的感应电流。通过对电极-微球-电极结构的电场模拟,揭示了产生感应电流的物理机制:微球与电极碰撞过程产生动态电容变化,形成瞬时的感应电流。通过测量不同电压下穿梭电流和穿梭频率的关系,修正了经典穿梭模型,给出了感应电流引起的电荷修正因子。; 陈鹏孙建东秦华顾晓峰; 关键词：纳机电系统

基于射频单电子晶体管的超灵敏电荷计的数值分析被引量：1: 2016年; 集成单电子晶体管SET(Single Electron Transistor)与射频共振电路的射频单电子晶体管RF SET(Radio FrequencySingle Electron Transistor)是一种高速高灵敏的电荷计。通过建立RF SET的等效电路模型,对共振电路及其与射频传输线的集成进行模拟分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,获得了所需的谐振频率、品质因子和对SET阻抗的灵敏度。结果表明,受电荷调制的SET阻抗直接影响着共振电路的品质因子、阻抗和射频透射/反射系数。射频信号随着SET的阻抗降低而减小,峰位基本不变。在SET阻抗小于200 kΩ时,共振信号幅度随阻抗的变化率较大。透射式与反射式两种结构相比,前者共振频率及品质因子更高,后者则具有更高的灵敏度优势。; 苏丽娜李欣幸秦华顾晓峰; 关键词：等效电路透射

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