国家自然科学基金(30670638)
- 作品数:19 被引量:48H指数:4
- 相关作者:涂彧王利利周菊英刘萍秦颂兵更多>>
- 相关机构:苏州大学山东省职业卫生与职业病防治研究院宜兴市人民医院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域:医药卫生更多>>
- 二维电离室矩阵在调强适形放疗剂量学验证中的应用被引量:12
- 2007年
- 剂量学验证是放射治疗中质量保证的重要一环,也是调强适形放射治疗(IMRT)应用于临床时必不可少的一个步骤,随着放射物理技术的发展,新设备和新方法在不断应用,为临床放射治疗提供了更好、更便捷的质量保证与控制手段。二维电离室矩阵(MatriXX)是一种快速的剂量测量系统,是目前较先进的调强治疗实时二维验证系统之一,它可以测量照射野的剂量分布和强度分布,在剂量学验证中,可以极大地简化验证工作量,提高验证效率。
- 张晓军王建华涂彧
- 关键词:放射疗法剂量学验证二维电离室矩阵
- 硫酸镁对放射性脑损伤大鼠c-fos基因表达及学习记忆功能的影响被引量:3
- 2009年
- 目的探讨硫酸镁对大鼠放射性脑损伤神经功能及即早基因表达的影响。方法将SD大鼠随机分为对照组(n=26)、照射组(n=32)和照射加药组(n=32),用5 MeV电子线进行单次半脑照射20Gy建立放射性脑损伤模型。在照后2h、24h用免疫荧光组织化学技术观察海马结构c-fos基因表达并计数阳性细胞,在照后第1w、4w、8w行Y-型迷宫测试观察学习和记忆能力,并进行病理形态学观察。结果与对照组相比,照射组大鼠在2h、24h时海马结构c-fos基因表达明显增加(P<0.01),Y-迷宫学习和记忆成绩明显降低(P<0.01);与照射组相比,照射加药组Fos阳性细胞数明显减少(P<0.05),学习尝试次数在第4周、8周较前者减少(P<0.01),记忆再现次数增加(P<0.05);病理形态学上照射加药组亦比照射组损伤减轻。结论硫酸镁对大鼠放射性脑损伤所致的早期学习记忆功能降低有改善作用,对神经细胞有保护作用,其下调海马结构神经细胞Fos蛋白的表达可能是硫酸镁减轻细胞损伤作用机制之一。
- 张玮王利利周菊英涂彧邹容周卫芳王瑞
- 关键词:硫酸镁学习记忆C-FOS基因
- 探讨硫酸镁对放射性脑损伤大鼠学习记忆功能的影响被引量:3
- 2008年
- 目的探讨硫酸镁对电离辐射诱发的脑组织损伤后大鼠学习记忆能力的影响。方法将成熟的SD大鼠54只随机分为空白对照组、实验对照组和硫酸镁实验用药组,用5MeV电子线对实验大鼠进行20Gy全脑单次垂直照射,各组大鼠再随机分为照射后7d、14d、28d,于处死前3d进行Y迷宫学习,每日训练一轮,最后依次学习结束后休息24h,进行Y迷宫记忆测定。结果实验用药组大鼠28d的Y迷宫学习记忆测试成绩明显优于实验对照组,7d、14d实验用药组大鼠的学习记忆测试成绩与实验对照组大鼠无明显差别。结论早期使用硫酸镁可以有效地保护脑损伤,明显改善放射性脑损伤大鼠的学习记忆能力。
- 周卫芳周菊英王利利涂彧
- 关键词:硫酸镁放射性脑损伤学习记忆Y迷宫
- 中枢神经系统电离辐射效应的细胞和分子机制研究进展被引量:2
- 2008年
- 随着放射治疗的广泛应用,临床上的放射性损伤也逐渐受到重视。电离辐射对中枢神经系统细胞、分子的作用是一个复杂、渐进的过程,目前其确切机制尚不完全清楚。探讨电离辐射作用下神经元、神经胶质细胞、血管内皮细胞及血脑屏障的损伤和修复,以及分子水平改变的可能机制和神经保护策略的研究进展,以期为临床上防治放射性神经损伤提供有益的思路。
- 张玮王利利涂彧
- 关键词:中枢神经系统放射生物学神经保护
- MgSO_4对大鼠急性放射性脑损伤后脑细胞内Ca^(2+)及脑组织NO含量的影响被引量:3
- 2009年
- 为探讨硫酸镁(MgSO4)对电离辐射诱发脑损伤的保护作用,将成熟的SD大鼠36只随机分为空白对照组、实验对照组和硫酸镁实验用药组,用6MeV电子束对实验组大鼠进行20Gy全脑单次垂直照射,吸收剂量率为200cGy/min;实验用药组大鼠于照射前1d、照射后即刻和照射后连续5d分别给予10%的MgSO4腹腔注射,分别于照后第3、10、17和24d解剖大鼠,取其脑组织,用激光扫描共聚焦显微镜测定脑细胞内Ca2+的含量,硝酸还原酶法测定脑组织一氧化氮(NO)含量。结果显示,与空白对照组相比,实验对照组大鼠脑细胞内Ca2+平均荧光强度及脑组织中NO含量明显升高(P<0.05);与实验对照组相比,实验用药组大鼠脑细胞内Ca2+平均荧光强度及脑组织NO含量有所降低(P<0.05)。表明早期使用硫酸镁可抑制辐射引起的脑细胞内钙离子的超载及脑组织中NO含量的升高,硫酸镁对放射性脑损伤有保护作用。
- 袁文佳崔凤梅王利利刘萍何超涂彧
- 关键词:放射性脑损伤细胞内钙离子
- 硫酸镁对放射性脑损伤大鼠脑细胞内钙离子含量的影响
- 目的:研究硫酸镁对放射性脑损伤大鼠脑细胞内钙离子含量的影响,探讨硫酸镁对电离辐射诱发的脑组织损伤的脑保护作用。方法:将成熟的SD 大鼠36只随机分为空白对照组、实验对照组和硫酸镁实验用药
- 袁文佳崔凤梅刘萍王利利涂彧
- 关键词:放射性脑损伤硫酸镁
- 文献传递
- 硫酸镁对大鼠神经干细胞辐射损伤保护作用的初步研究被引量:2
- 2010年
- 目的 探讨硫酸镁对大鼠神经干细胞辐射损伤的保护作用.方法 取新生大鼠神经干细胞进行培养,用免疫荧光法进行神经干细胞的鉴定后,用含有不同浓度硫酸镁的培养基培养神经干细胞,选择出硫酸镁的合适浓度为1.25 mg/ml.将神经干细胞分为空白对照组、单纯照射组及照射+硫酸镁组,照射+硫酸镁组神经干细胞加入1.25 mg/ml的硫酸镁培养24 h后,分别用2和4 Gy 60Co γ射线对单纯照射组及照射+硫酸镁组进行照射,分别于照射后24、48和72 h用CCK-8对各组进行神经干细胞增殖情况的检测,同时用流式细胞仪对各组神经于细胞凋亡率进行检测.结果 与空白对照组比较,单纯照射组各时间点反映神经干细胞增殖情况的吸光度值明显降低(t=5.33~8.44,P<0.05),神经干细胞的凋亡率明显升高(t=30.60~71.22,P<0.05).与单纯照射组比较,照射+硫酸镁组除24 h时间点外余各时间反映神经于细胞增殖的吸光度值有所上升(t=2.45~4.71,P<0.05),各时间点神经干细胞的凋亡率明显降低(t=6.73~41.12,P<0.05).结论 硫酸镁具有减轻电离辐射后神经干细胞增殖损伤,降低电离辐射所致的细胞凋亡率.
- 刘萍涂彧
- 关键词:神经干细胞电离辐射硫酸镁
- 硫酸镁对新生大鼠神经干细胞辐射损伤的保护作用
- 2012年
- 目的研究硫酸镁对电离辐射所致的神经干细胞损伤的保护作用。方法取新生大鼠神经干细胞进行培养,分为正常对照(空白对照)组、实验对照(单纯照射)组和实验(照射+硫酸镁)组。60Coγ射线照射2Gy后透射电镜下观察神经干细胞的凋亡形态;60Coγ射线分别照射2Gy、4Gy后24 h、48 h用流式细胞仪检测细胞周期分布情况。结果与正常对照组相比,实验对照组的神经干细胞可见明显凋亡,细胞周期出现明显G1期、G2期阻滞(均P<0.05)。实验组的神经干细胞凋亡数量较实验对照组明显减少,神经干细胞的周期阻滞也较实验对照组明显减轻(均P<0.05)。结论硫酸镁可降低电离辐射对神经干细胞的损伤作用,辐射后的细胞凋亡、细胞周期阻滞情况都有所缓解。
- 黄辉刘萍陈娜涂彧
- 关键词:神经干细胞硫酸镁细胞凋亡细胞周期阻滞电离辐射新生大鼠
- 硫酸镁对大鼠神经干细胞辐射所致凋亡的影响
- 2012年
- 探讨硫酸镁对大鼠神经干细胞辐射损伤的保护作用。取新生大鼠神经干细胞进行培养,用免疫荧光法进行神经干细胞的鉴定后用含有不同浓度硫酸镁的培养基培养神经干细胞,选择出硫酸镁的合适浓度为0.00125g/mL。将神经干细胞分为空白对照组、实验对照组(照射)和实验组(照射+硫酸镁)。分别用2和4Gy^(60)Coγ射线对实验对照组和实验组进行照射,分别于照射后24、48和72 h用流式细胞仪对各组神经干细胞凋亡率进行检测,同时采用透射电镜对神经于细胞凋亡形态进行观察。与空白对照组比较,实验对照组各时间点神经干细胞的凋亡率明显升高,(t_((2Gy,72 h))=30.60,t_((4Gy,72 h))=31.85,p<0.05),细胞呈现出明显的凋亡形态,并可见凋亡小体。与实验对照组比较,实验组各时间点神经干细胞的凋亡率明显降低,(t_((2Gy,72 h))=9.08,t_((4 Gy,72 h))p<0.05),且细胞形态损伤明显减轻。硫酸镁能降低电离辐射对神经干细胞的凋亡率,减轻电离辐射所致神经干细胞核损伤的形态。
- 刘萍涂彧
- 关键词:神经干细胞电离辐射硫酸镁
- MgSO4对大鼠急性放射性脑损伤后NSE和S-100蛋白表达的影响被引量:3
- 2007年
- 目的探讨MgSO4对电离辐射诱发的脑组织损伤的保护作用。方法将成熟的SD大鼠36只随机分为空白对照组、实验对照组和MgSO4实验用药组,用6MeV电子线对实验大鼠行20Gv全脑单次垂直照射,吸收剂量率为200cGy/min;实验用药组大鼠于照射前1d、照射后即刻、照后连续3d分别给予10%的MgSO4腹腔注射,分别于照射后1、7、14和30d处死大鼠,取其脑组织,用免疫组织化学法测定神经元特异性稀醇化酶(NSE)、S-100蛋白的相对含量,并与对照组进行比较。结果在上述时间点,脑内海马区S-100和NSE表达有时间规律,照射后1周S-100蛋白的表达和照射后24hNSE的表达组间存在一定差别。与空白对照组相比,实验对照组大鼠脑组织中NSE表达显著下降(P〈0.05),S-100表达显著升高(P〈0.05);与实验对照组相比,在照射后7d,MgSO4可明显抑制S-100的表达(P〈0.05),诱导NSE的表达(P〈0.05)。结论 脑组织中S-100和NSE表达水平的变化是辐射诱导的急性脑损伤的敏感指标,MgSO4可降低S-100的表达水平并升高NSE在神经元中的含量,早期使用对急性放射性脑损伤有保护作用。
- 周菊英涂彧王利利俞志英秦颂兵徐晓婷李莉
- 关键词:脑损伤S-100蛋白