石家庄市科学技术研究与发展计划(11113481)
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 相关作者：王现彬李宁赵正平卢智嘉贾英茜更多>>
- 相关机构：石家庄学院河北工业大学更多>>
- 发文基金：石家庄市科学技术研究与发展计划河北省科技计划项目河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光PM-DQPSK调制格式性能研究被引量：1
- 2014年
- 对偏振复用-33%归零-差分正交相移键控(PM-33%RZ-DQPSK)和偏振复用-抑制载波归零-差分正交相移键控(PM-CSRZ-DQPSK)调制格式进行了传输性能仿真,在仿真过程中,分别考虑了光纤系统中的偏振模色散(PMD)、色散(CD)和非线性效应(SPM)三种限制因素。仿真结果表明偏振复用系统比非偏振复用系统更易受到PMD、CD和非线性效应的影响。整体来看,PM-CSRZ-DQPSK调制格式的传输性能比PM-33%RZ-DQPSK更为优秀。
- 王现彬杨彦彬李宁杨洁曹鹤飞
- 关键词：调制格式差分正交相移键控传输性能
- N-polar GaN上的欧姆接触:材料制备、金属化方案与机理
- 2016年
- 氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道,综述了N-polar GaN上欧姆接触的研究进展。首先对N-polar GaN材料的制备进行了分析,随后对N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论,以期为实际N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考。
- 王现彬赵正平
- 关键词：氮化镓欧姆接触氮化铝
- N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真
- 2016年
- 建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。
- 王现彬赵正平
- 关键词：高电子迁移率晶体管极化效应直流特性
- 三种载波抑制归零码光调制格式性能被引量：2
- 2014年
- 首先分析了基于载波抑制归零码的光载波抑制归零-开关键控(CSRZ-OOK)、载波抑制归零-差分相移键控(CSRZ-DPSK)和载波抑制归零-差分正交相移键控(CSRZ-DQPSK)三种光调制格式的时域和频域特性,并数字仿真了其在40 Gbit/s单信道光纤系统中的传输性能。以Q值、眼图和误码率(BER)作为性能评价指标,研究了这三种调制格式对色散(CD)、偏振模色散(PMD)和非线性效应的抑制作用。结果表明:CSRZ-DQPSK相对于CSRZ-OOK、CSRZ-DPSK对色散、偏振模色散和非线性效应有非常好的容忍能力。
- 王现彬李宁卢智嘉杨洁曹鹤飞
- 关键词：调制格式差分正交相移键控色散偏振模色散
- 光DQPSK调制在不同色散补偿系统中的性能被引量：4
- 2014年
- 分析了光非归零-差分正交相移键控(NRZ-DQPSK)、33%归零-差分正交相移键控(33%RZ-DQPSK)和载波抑制归零-差分正交相移键控(CSRZ-DQPSK)三种调制格式的频域特性。并数字仿真了40Gbit/s的单信道光纤系统中三种调制格式在对色散(CD)进行后补偿、预补偿和对称补偿等三种补偿方式及考虑偏振模色散(PMD)和非线性效应情况下的传输性能。仿真结果表明,33%RZ-DQPSK对自相位调制(SPM)有最好的容忍度,但缓解PMD和CD的能力较弱;CSRZ-DQPSK在色散后补偿方式中对PMD和非线性效应具有最好的抑制能力。
- 王现彬贾英茜卢智嘉王超李宁
- 关键词：调制格式正交相移键控色散补偿自相位调制偏振模色散
- 数字信号处理课程教与学浅析
- 2014年
- "数字信号处理"是通信电子类学生必修的一门专业基础课,该门课程理论繁杂,公式较多,成为通信电子类专业课程中较难学的一门专业课程。我们通过建立教学目标,优化教学内容,改进教学手段,充分利用综合实验环境,强化学生学习能力,增强实践环节,提高了学生的学习积极性,拓展了学生独立分析问题、解决问题的能力,并取得较好的教学效果。
- 王现彬贾英茜杨彦彬
- 关键词：数字信号处理教学改革
- Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性
- 2016年
- 利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性。结果表明,Ti/Al/Ni/Au(20/60/10/50nm)在N-polar GaN上可形成比接触电阻率为2.2×10^(-3)Ω·cm^2的非合金欧姆接触,当退火温度升至200℃,比接触电阻率降为1.44×10^(-3)Ω·cm^2,随着退火温度的进一步上升,Ga原子外逸导致欧姆接触退化为肖特基接触。
- 王现彬赵正平
- 关键词：欧姆接触TI/AL/NI/AU氮化镓
