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国家教育部博士点基金(20030335017)

作品数:4 被引量:4H指数:1
相关作者:何丕模张寒洁李海洋鲍世宁陶永升更多>>
相关机构:浙江大学新加坡国立大学伦敦大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇相互作用
  • 2篇光电子能谱
  • 1篇单原子
  • 1篇电子谱
  • 1篇电子性质
  • 1篇有机半导体
  • 1篇原子
  • 1篇弱相互作用
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外光
  • 1篇紫外光电子能...
  • 1篇萘基
  • 1篇结合能
  • 1篇价带
  • 1篇价电子
  • 1篇价电子结构
  • 1篇功函数
  • 1篇光电子能谱研...

机构

  • 4篇浙江大学
  • 1篇伦敦大学
  • 1篇新加坡国立大...

作者

  • 4篇鲍世宁
  • 4篇李海洋
  • 4篇张寒洁
  • 4篇何丕模
  • 2篇吕斌
  • 2篇陶永升
  • 1篇陈桥
  • 1篇陆赟豪
  • 1篇徐以锋
  • 1篇黄寒
  • 1篇段效邦
  • 1篇吕萍
  • 1篇胡昉
  • 1篇王学森

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Thickness Dependent Behavior of Photoluminescence of Tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum Film被引量:1
2006年
In situ thickness dependent photoluminescence (PL) measurements of tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3) film were performed. At the beginning of Alq3 deposition on the glass substrate, the Alq3 emission showed a sharp red-shift. Further deposition of Alq3 resulted slight red-shift, and finally tended to saturated value. The total red-shift of about 12 nm was observed for the Alq3 film thickness range from 2 to 500 nm.This red-shift was attributed to the change from the 2D to 3D exciton state with increasing Alq3 film thickness. Meanwhile, the PL intensity of Alq3 emission increased continuously, and showed a rate change at the initial deposition of Alq3 due to non-rediative decay of excitons arised from the interaction between excitons and the substrate, and finally tended to saturation with the Alq3 thickness.
徐以锋张寒洁陈桥李海洋鲍世宁何丕模
关键词:PHOTOLUMINESCENCERED-SHIFT
Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究被引量:1
2005年
报道Ge在Ru(0 0 0 1)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜 (STM)和x射线光电子能谱 (XPS)研究 .STM的实验结果表明Ge在Ru(0 0 0 1)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式 ,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长 ,而从第二层开始呈岛状生长 .XPS测量显示衬底Ru(0 0 0 1)与Ge的相互作用很弱 .Ru(0 0 0 1)表面的Ru 3d5 2 和Ru 3d3 2 芯态结合能分别处于 2 79 8和 2 84 0eV .随着Ge的生长 ,到Ge层的厚度为 2 0个单原子层 ,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约 0 2eV ,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的 2 8 9eV增加到了 2 9 0eV ,其相对位移约为 0 1eV .
胡昉张寒洁吕斌陶永升李海洋鲍世宁何丕模王学森
关键词:结合能单原子相互作用覆盖度
Ag(110)表面并四苯薄膜生长光电子谱研究被引量:2
2005年
利用光电子能谱研究了有机半导体并四苯 (tetracene)与金属Ag(110 )界面的相互作用特性和电子性质 ,UPS测量给出tetracene的价带结构 ,其价带顶 (HOS)位于费密能级以下约 2 6eV处。XPS测量显示Ag 3d和C 1s谱峰几乎没有位移 ,表明tetranece与衬底Ag之间相互作用弱。随着tetracene在Ag(110 )表面的沉积 ,功函数在初始阶段快速减小 ,继续沉积te tracene其功函数回升并达到饱和。tetracene沉积初始阶段的功函数减小归结于有机分子在表面的极化 ,而随后增加的起因则是有机分子间的退极化。
陶永升张寒洁吕斌黄寒李海洋鲍世宁何丕模
关键词:光电子谱薄膜生长价带电子性质功函数有机半导体
三萘基膦在Ag(110)面上沉积的紫外光电子能谱研究
2005年
利用紫外光电子能谱(UPS)对新型有机半导体三萘基膦(TNP)在金属Ag(110)表面上沉积生长及其电子性质等进行了研究.三萘基膦的价带谱峰分别位于费米能级以下3.8,6.3,9.3和11.0eV处,其中,价带顶(HOS)位于费米能级以下约2.5eV处.清洁Ag(110)表面的功函数为4.3eV.随着三萘基膦在Ag(110)表面的沉积,功函数减小到3.8eV,并达到饱和.根据UPS的测量结果,给出了三萘基膦Ag(110)界面的能带结构,且三萘基膦与衬底Ag之间呈弱相互作用行为.
陆赟豪段效邦吕萍张寒洁李海洋鲍世宁何丕模
关键词:价电子结构紫外光电子能谱萘基费米能级弱相互作用
共1页<1>
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