河北省自然科学基金(A2009000254)
- 作品数：16 被引量：15H指数：2
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- 相关机构：河北师范大学河北民族师范学院邢台学院更多>>
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- C/Co/C纳米颗粒膜微结构和磁特性的时效性研究被引量：2
- 2010年
- 室温下,应用磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜。C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原位退火。在样品制备3年后再次测量了样品的微结构和磁特性。对比3年前的测试结果,发现样品在存放过程中微结构和磁特性有略微改善。通过分析表明,这主要是由于界面处的非磁性C原子进一步扩散进磁性Co颗粒边界,减弱了磁性颗粒间的交换相互作用所致。
- 封顺珍咸立芬徐芹张明轩崔文元
- 关键词：纳米颗粒膜磁控溅射矫顽力
- 布洛赫线存储器稳定性的研究
- 2011年
- 实验研究了直流偏场和温度交替作用对布洛赫线存储器中垂直布洛赫线(VBL)链的影响。发现三类硬磁畴中VBL链是在临界温度范围[Tl,T2]内解体的,对于三类硬磁畴有着相同的T1,从而进一步证明了温度作用下硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的,同时也证实了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的。畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴壁中VBL的数目无关,而与VBL间的平衡间距有关。
- 蔡丽景顾建军孙会元
- 关键词：垂直布洛赫线热稳定性
- 旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性
- 2011年
- 实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的.
- 岂云开岂云开贾莲芝顾建军
- 关键词：垂直布洛赫线哑铃畴
- 氟化并五苯分子在半金属Ga表面的自组装单层
- 2010年
- 采用超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）和分子束外延（MBE）系统,研究了在半金属镓表面上的氟化并五苯（perfluoropentacene）分子的自组装单层结构.在室温下氟化并五苯分子在镓表面表现出较高的迁移性.随着覆盖度的增加,氟化并五苯分子从最初形成的两维无序结构演化到有序排列的分子自组装单层.高分辨的STM图像表明,氟化并五苯分子结合成分子二聚体,并平铺在衬底表面.随着覆盖度的进一步增加,第二层氟化并五苯分子＂直立＂在第一层分子上面.这表明分子-衬底之间的相互作用大于两分子层之间的范德瓦尔斯相互作用.
- 尹世忠王俊忠
- 关键词：自组装二聚体
- 结构相变对Fe掺杂TiO_2薄膜室温铁磁性的影响被引量：2
- 2012年
- 采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了不同Fe掺杂浓度的TiO_2薄膜,并对其晶体结构和磁特性进行了研究.在所有掺杂样品中,均观察到了室温铁磁性,磁性源于Fe离子与其近邻空间分布的空穴相互作用.在掺杂量为7%的锐钛矿相薄膜中观察到了最大的磁化强度.随着Fe掺杂浓度的进一步增加,TiO_2的晶体结构逐渐由锐钛矿相向金红石相转变,并且磁性减弱.不同结构的TiO_2中Ti-O键长不同,导致替代的磁性Fe离子与空穴的作用强度发生改变,进而使其磁性发生变化.
- 顾建军孙会元刘力虎岂云开徐芹
- 关键词：稀磁半导体结构相变铁磁性
- 复合薄膜NiFe_2O_4-BiFeO_3中的磁电耦合被引量：1
- 2011年
- 采用化学溶液沉积法(CSD)在Au/Ti/SiO2/Si衬底上通过自组装生长制备了BiFeO3-NiFe2O4(BFO-NFO)多铁性复合薄膜.X射线衍射图谱(XRD)显示形成了分离的钙钛矿结构的铁电相BFO和尖晶石结构的铁磁相NFO.NFO的引入导致复合薄膜的泄漏电流减小,剩余极化强度增加.相比于纯BFO薄膜,0.25NFO-0.75BFO样品泄漏电流下降了约两个数量级,剩余极化强度(Mr)和饱和磁化强度(Ms)都达到最大值,分别为2.3μC/cm2和70.2kA·m-1.通过计算NFO的铁磁贡献,推测BFO-NFO复合薄膜中可能存在着磁电耦合.
- 顾建军刘力虎岂云开徐芹张惠敏孙会元
- 关键词：磁电耦合铁电性铁磁性
- 软磁纳米晶丝的巨应力阻抗和巨扭矩阻抗效应
- 2009年
- 在频率f=1MHz和纵向直流磁场H=0～±11.2kA/m下,分别测量了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶丝(由非晶退火而得)在外加应力(σ=0～157MPa)及扭矩(ξ=0～62.8rad/m)作用下的磁阻抗效应分别为-35%和-66%。基于感生磁弹性各向异性的概念,对应力阻抗效应和扭矩阻抗效应进行了理论分析。与实验结果的对比表明,阻抗随应力和扭矩的改变可由感生各向异性模型来解释。
- 尹世忠李印峰孙会元
- 关键词：感生各向异性
- Al/ZnO/Al薄膜的结构与磁性分析被引量：3
- 2011年
- 采用直流磁控溅射的方法制备了Al/ZnO/Al纳米薄膜,并对薄膜分别在真空及空气中进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)和物理性能测量仪(PPMS)分别对薄膜样品的结构和磁性进行了表征.XRD分析表明,不同的退火氛围对薄膜的微结构有着很大的影响.采用了一种新的修正方法对磁测量结果进行修正,计算了基底拟合误差的最大值,并对修正后样品的磁性进行了分析.结果显示,室温铁磁性可能与Al和ZnO基体之间发生的电荷转移以及在不同退火氛围下Al在ZnO晶格中的地位变化有关.
- 岂云开顾建军刘力虎张海峰徐芹孙会元
- 关键词：铁磁性
- 核/壳结构Fe/FeS_2纳米线结构与磁性能
- 2011年
- 利用电沉积及热硫化法制备了核/壳结构Fe/FeS2纳米线,研究了硫化过程对纳米线体系磁特性的影响。试验中,通过直流电沉积方法,可以在纳米孔洞高度有序排布的阳极氧化铝模板中制备Fe纳米线,之后部分溶去模板,再经450℃硫化处理,Fe纳米线表面可形成"毛刷"绒状物FeS2,从而形成核/壳结构Fe/FeS2纳米线。结果表明,随着高温硫化处理,Fe纳米线直径略有减小,且择优取向发生变化,并引起复合纳米线饱和磁化强度及矫顽力增强,主要认为是由于核/壳复合结构的形成引起纳米线体系静磁耦合作用降低所致。
- 岂云开顾建军李子岳刘力虎孙会元
- 关键词：纳米线电沉积
- Al掺杂ZnO薄膜的结构研究被引量：4
- 2011年
- 采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜。系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响。结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度对薄膜的微结构有着很大的影响。在氩氧体积比6∶1条件下制备的薄膜,经真空500℃退火后具有较好的结晶和明显的(002)择优取向。
- 岂云开顾建军李志文杨淑敏王振文孙会元
- 关键词：ZNO薄膜结构特性磁控溅射退火
