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吉林省科技发展计划基金(201201124)

作品数:3 被引量:22H指数:3
相关作者:芦鹏李特薄报学李再金曲轶更多>>
相关机构:长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 1篇钝化
  • 1篇特性分析
  • 1篇腔面
  • 1篇阈值电流
  • 1篇温度特性
  • 1篇量子阱半导体...
  • 1篇金刚石
  • 1篇刚石
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 3篇长春理工大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 3篇刘国军
  • 3篇曲轶
  • 3篇李再金
  • 3篇薄报学
  • 3篇李特
  • 3篇芦鹏
  • 2篇马晓辉
  • 1篇王立军
  • 1篇郑晓刚

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性被引量:6
2012年
研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15~55℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4 W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22%降低到37.55%,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K。实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15~25℃范围内。
李再金芦鹏李特曲轶薄报学刘国军马晓辉
关键词:半导体激光器阈值电流温度特性
980 nm半导体激光器腔面温度特性分析被引量:8
2013年
研究分析了980nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚石为钝化膜的腔面增透膜和高反膜,模拟和对比了镀有金刚石钝化膜与未镀金刚石钝化膜的980nm半导体激光器腔面温度特性。分析结果表明,镀有金刚石钝化膜比未镀金刚石钝化膜的器件的腔面温度低9.0626℃。因此在980nm半导体激光器腔面镀金刚石钝化膜能够有效降低腔面温度,提高腔面COD阈值。
郑晓刚李特芦鹏曲轶薄报学刘国军马晓辉李再金
关键词:激光器半导体激光器金刚石
980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术被引量:8
2012年
研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11%,比不蒸镀钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了42%。不蒸镀钝化膜的半导体激光器的失效电流为4.1 A,蒸镀Si钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.1 A,蒸镀ZnSe钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.6 A。对半导体激光器失效的原因进行了分析。在半导体激光器前后腔面蒸镀ZnSe钝化膜能有效地提高器件的输出光功率。
李再金李特芦鹏曲轶薄报学刘国军王立军
关键词:半导体激光器腔面钝化
共1页<1>
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