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国家自然科学基金(69825107)

作品数:19 被引量:37H指数:3
相关作者:杨辉冯淦沈晓明张宝顺王玉田更多>>
相关机构:中国科学院武汉大学四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 13篇GAN
  • 4篇MOVPE
  • 3篇氮化镓
  • 3篇立方相GAN
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇MOCVD
  • 3篇衬底
  • 2篇立方相
  • 2篇SI(111...
  • 2篇DIFFRA...
  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇多量子阱
  • 1篇衍射
  • 1篇应力
  • 1篇散射
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇透射电子显微...

机构

  • 15篇中国科学院
  • 3篇武汉大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇同济大学

作者

  • 15篇杨辉
  • 9篇张宝顺
  • 9篇冯淦
  • 9篇沈晓明
  • 7篇王玉田
  • 6篇张泽洪
  • 6篇冯志宏
  • 6篇赵德刚
  • 6篇孙元平
  • 5篇梁骏吾
  • 5篇朱建军
  • 5篇张纪才
  • 4篇王建峰
  • 3篇张书明
  • 3篇付羿
  • 3篇陈俊
  • 2篇刘建平
  • 2篇郑新和
  • 2篇段俐宏
  • 2篇伍墨

传媒

  • 11篇Journa...
  • 2篇Scienc...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 7篇2002
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量:2
2003年
在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0~6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
关键词:GANPT肖特基接触退火MOVPE
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量:3
2002年
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .
沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉
关键词:立方相GANSEMTEM扫描电子显微镜透射电子显微镜
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN被引量:1
2003年
The influence of growth pressure of GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN on -Al2O3 has been investigated with the aid of a home-made in situ laser reflectometry meas-urement system. The results obtained with in situ measurements and scanning electron micro-scope show that with the increase in deposition pressure of buffer layer, the nuclei increase in size, which roughens the surface, and delays the coalescence of GaN nuclei. The optical and crystalline quality of GaN epilayer was improved when buffer layer was deposited at high pressure.
陈俊张书明张宝顺朱建军冯淦段俐宏王玉田杨辉郑文琛
关键词:GALLIUMSITU
Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE
2002年
Wet etching characteristics of cubic GaN (c GaN) thin films grown on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) are investigated.The samples are etched in HCl,H 3PO 4,KOH aqueous solutions,and molten KOH at temperatures in the range of 90~300℃.It is found that different solution produces different etch figure on the surfaces of a sample.KOH based solutions produce rectangular pits rather than square pits.The etch pits elongate in 1 0] direction,indicating asymmetric etching behavior in the two orthogonal <110> directions.An explanation based on relative reactivity of the various crystallographic planes is employed to interpret qualitatively the asymmetric etching behavior.In addition,it is found that KOH aqueous solution would be more suitable than molten KOH and the two acids for the evaluation of stacking faults in c GaN epilayers. direction,indicating asymmetric etching behavior in the two orthogonal <110> directions.An explanation based on relative reactivity of the various crystallographic planes is employed to interpret qualitatively the asymmetric etching behavior.In addition,it is found that KOH aqueous solution would be more suitable than molten KOH and the two acids for the evaluation of stacking faults in c GaN epilayers.
沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉
关键词:MOVPE
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
2002年
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉
关键词:MOVPE金属有机物气相外延立方相氮化镓
GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量被引量:2
2003年
提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系。该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠。
冯淦朱建军沈晓明张宝顺赵德刚王玉田杨辉梁骏吾
关键词:GAN外延膜厚度测量X射线双晶衍射氮化镓
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长被引量:8
2004年
采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 Al N厚度在 7~ 1 3nm范围内 ,Ga N所受张应力最小 ,甚至变为压应力 .因此 ,Ga N微裂得以消除 .同时研究了 Al N插入层对 Ga N晶体质量的影响 ,结果表明 ,许多性能相比于没有 Al N插入层的 Ga
张宝顺伍墨陈俊沈晓明冯淦刘建平史永生段丽宏朱建军杨辉梁骏吾
关键词:GAN应力MOVPE
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制被引量:1
2002年
采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN(0002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
冯淦郑新和朱建军沈晓明张宝顺赵德刚孙元平张泽洪王玉田杨辉梁骏吾
关键词:GAN半导体材料
GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现被引量:7
2002年
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 .
孙元平张泽洪赵德刚冯志宏付羿张书明杨辉
关键词:发光二极管立方相GAN晶片键合GAAS衬底
立方相GaN的持续光电导被引量:2
2003年
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .
张泽洪赵德刚孙元平冯志宏沈晓明张宝顺冯淦郑新和杨辉
关键词:立方相GAN持续光电导氮化镓
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