重庆市自然科学基金(2008BC4003)
- 作品数:3 被引量:9H指数:2
- 相关作者:辜敏李强鲜晓东杜云贵陈应龙更多>>
- 相关机构:重庆大学更多>>
- 发文基金:重庆市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术机械工程更多>>
- 三阶光学非线性CdS-SiO_2复合薄膜的电化学溶胶-凝胶制备及表征
- 2013年
- 以硝酸镉、硫代乙酰胺(TAA)和正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,通过电化学溶胶-凝胶法在ITO玻璃基底上制备了CdS-SiO2透明薄膜。通过循环伏安实验确定电化学沉积条件,并研究了薄膜的性质。扫描电子显微镜和X射线能谱(EDX)分析表明,薄膜为纳米结构材料,薄膜由元素Si、O、Cd、S组成。X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜中含有CdS,并且CdS晶体沿(103)、(202)晶面择优生长。综合EDX和XRD分析结果确认薄膜为CdS-SiO2复合薄膜。Z扫描表明薄膜具有非线性饱和吸收特性以及自散焦特性的非线性折射效应,为三阶光学非线性材料。薄膜三阶非线性极化率((3))较高,数量级达到了10-14(m/V)2。
- 卿胜兰辜敏甘平
- 关键词:三阶光学非线性Z扫描
- TeO_2-SiO_2/α-TeO_2复合薄膜的电化学-溶胶凝胶制备及非线性光学性能被引量:6
- 2012年
- 以异丙醇碲和正硅酸乙酯作为前驱体,配制了稳定的TeO2-SiO2复合溶胶;以之为电解液采用电化学-溶胶凝胶法制备了黑色的凝胶薄膜,将薄膜经热处理后得到灰白色半透明的复合薄膜.分别采用XRD和SEM-EDX研究复合薄膜的晶体结构、表面形貌及其组成,结果表明凝胶薄膜的主要成分为Si,Te,O元素,黑色的凝胶薄膜为TeO2-SiO2/Te,灰白色半透明的复合薄膜为少量Te的SiO2-TeO2/α-TeO2;α-TeO2颗粒和少量Te颗粒均匀分散在TeO2-SiO2凝胶复合薄膜中.采用Z-scan方法测试薄膜的光学性能,结果表明其三阶非线性极化率χ(3)为2.171×10-14(m V-1)2.
- 李强辜敏杜云贵鲜晓东
- 关键词:碲非线性光学
- 电化学和sol-gel法结合制备Cu-SiO_2薄膜——不同pH值CuSO_4硅溶胶中Cu的电化学行为被引量:3
- 2014年
- 研究金属或半导体在溶胶中的电化学行为对电化学和溶胶-凝胶(sol-gel)法结合制备掺杂金属和半导体的复合凝胶薄膜有极大指导意义。用循环伏安(CV)和计时安培(CA)法研究了电化学和sol-gel法结合制备Cu-SiO2凝胶薄膜时不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu在玻碳电极上的电沉积和电结晶行为。结果表明:在pH=1.0~3.0的CuSO4硅溶胶中,Cu2+的扩散系数在pH=2.0时最小,pH=1.0时较pH=3.0时大,这也是造成硅溶胶中pH=2.0时还原最难,pH=3.0时次之,pH=1.0时最易的原因;Cu在硅溶胶中的电沉积为Langmuir型吸附-三维瞬时成核机理;硅溶液中Cu2+的传递系数均大于0.9,存在吸附层;Cu2+在吸附过程的总放电量Qads随pH值增大而增大;Cu的成核数密度都随电位增大而增大,随pH值增大而减小,故pH值在1.0~3.0内越大越不利于制备Cu-SiO2薄膜。
- 陈应龙辜敏
- 关键词:电化学法循环伏安法电结晶