国家自然科学基金(60336020)
- 作品数：28 被引量：146H指数：8
- 相关作者：申德振张吉英范希武吕有明张振中更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 碳纳米管非线性光限幅机理的研究被引量：1
- 2008年
- 用化学气相沉积法制备了多壁碳纳米管,经扫描电镜分析得其具有较好的形貌和结构。研究了该多壁碳纳米管对波长1 064 nm激光的光限幅性质,发现该样品具有非常明显的光限幅特性,激发态吸收截面为σE=3.32×10-17cm2。应用Z-扫描(Z-scan)技术研究表明,碳纳米管的光限幅机制主要为激发态吸收。
- 袁艳红侯洵王相虎赵华
- 关键词：多壁碳纳米管光限幅Z-扫描
- Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
- 武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武
- Ni/Au与N掺杂p型ZnO的欧姆接触被引量：5
- 2006年
- 研究了Au,In,N i/Au三种不同金属膜与N掺杂p型ZnO的接触特性,发现N i/Au双层膜更适合作为其欧姆电极材料,并比较了不同气氛和不同温度退火对N i/Au电极的影响。发现在O2中退火电极性能发生蜕变,而在N2中退火性能得到改善。指出即使在N2中退火,退火温度的选择也是至关重要的,本实验在400℃,氮气气氛下退火150 s,得到了较好的欧姆接触特性。
- 王新吕有明申德振张振中李炳辉姚斌张吉英赵东旭范希武
- 关键词：NI/AU欧姆接触退火
- 锂掺杂p型氧化锌薄膜的制备被引量：3
- 2007年
- 通过将含有原子百分含量为2%锂(2at%)的锌锂(Zn-Li)合金薄膜在500℃氮气氛中退火2 h,然后在700℃氧气氛下退火1 h的方法分别制备出p型锂掺杂的氧化锌(ZnO:Li)薄膜。通过He-Cd激光器的325 nm线激发,测量了样品低温(12 K)发光光谱,并根据Zn-Li合金薄膜的低温发光光谱特征,计算出(LiZn-N)复合受主能级的位置位于价带顶137 meV处。
- 王相虎袁艳红孙振武徐时松金华赵华
- 关键词：合金退火真空镀膜
- 硅酸锌的电子结构(英文)被引量：5
- 2006年
- 采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00eV和2.79～10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。
- 张华冯夏康俊勇
- 关键词：硅酸锌电子态密度
- Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文)被引量：2
- 2006年
- 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。
- 陈晓航康俊勇
- 关键词：晶格结构第一性原理计算
- Li嵌入对V_2O_5电子结构及光学性质的影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。
- 李志阳周昌杰林伟吴启辉康俊勇
- 关键词：第一性原理V2O5电子结构光学性质
- 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性被引量：5
- 2004年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜。利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性。在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰。当退火温度较高时,随着与硅悬键有关的发光峰消失,可见发光峰位发生了蓝移。讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响。根据Raman谱,计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小。通过实验结果和分析,我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇。
- 王颖申德振刘益春张吉英张振中刘英麟吕有明范希武
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积光致发光硅团簇量子限制效应
- Li掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性被引量：10
- 2006年
- 通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品室温和低温(12K)光致发光光谱,并根据ZnO∶Li薄膜的低温发光光谱特征,计算出Li相关受主能级位于价带顶137meV处。
- 王相虎姚斌申德振张振中吕有明李炳辉魏志鹏张吉英赵东旭范希武
- 关键词：氧化锌退火真空镀膜P型掺杂
- 用电化学沉积方法制备钴掺杂的氧化锌薄膜及其光学性质被引量：8
- 2006年
- 通过选用乌洛托品作为络合剂,采用电化学沉积的方法成功地制备出钴掺杂的氧化锌薄膜。通过对样品的XRD表征,得出生长的样品为ZnO纤锌矿结构,并没有其他杂相峰,即没有出现分相;通过对样品XPS的分析显示Co离子在薄膜中以+2价的形式存在;为进一步验证Co2+离子进入ZnO的晶格,对掺杂不同Co2+浓度的样品进行PL谱的测量,从发光光谱上可以看出随着掺杂Co2+浓度的增加,带隙逐渐变窄,发光峰位红移,证明Co2+部分取代了Zn2+而进入了ZnO晶格中。
- 曹萍李炳辉张吉英赵东旭吕有明姚斌申德振范希武
- 关键词：电化学沉积光致发光
