国家重点实验室开放基金(201111)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
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- 交流阻抗谱法研究高压下CdS的电学性质被引量：1
- 2011年
- 利用金刚石对顶砧(DAC)原位交流阻抗谱测量技术,研究了硫化镉(CdS)半导体粉末在高压下的电输运性质.结果表明,在高压条件下CdS中存在两个电传导过程,晶体内传导和晶界传导,而晶体内传导是其主要过程.通过选择合适的表象,获得了CdS的体电阻随压力的变化关系,反映了CdS在高压下的相变过程:在2.7GPa～3.6GPa范围内,体电阻骤降了两个数量级,这对应着CdS从纤锌矿到岩盐矿的结构相变;在8GPa和14GPa附近,体电阻出现局域最大值,这对应着CdS从∑v→Xc到Lv→Xc的能带变化.另外实验结果预测在21GPa附近CdS的能带结构可能再次发生改变.
- 贺春元刘丙国杨中娟朱红玉高春晓
- 关键词：金刚石对顶砧交流阻抗谱硫化镉电阻
