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生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1: 2007年; 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.; 卢洋藩叶志镇曾昱嘉徐伟中朱丽萍赵炳辉; 关键词：ZNO P型掺杂金属有机化学气相沉积射频等离子体

脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性: 2007年; 采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.; 张银珠叶志镇吕建国何海平顾修全赵炳辉; 关键词：脉冲激光沉积

PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列: 2007年; 使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.; 顾修全朱丽萍叶志镇何海平张银珠赵炳辉; 关键词：PLD ZNO 纳米材料

Room-temperature electroluminescence of p-Zn_xMg_(1-x)O:Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode: 2009年; p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.; 叶志镇张利强黄靖云张银珠朱丽萍吕斌吕建国汪雷金一政蒋杰薛雅张俊林时胜杨丹; 关键词：ZNO ELECTROLUMINESCENCE

Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：8: 2006年; 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．; 卢洋藩叶志镇曾昱嘉陈兰兰朱丽萍赵炳辉; 关键词：磁控溅射共掺

Al、N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究: 2007年; 采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明:薄膜有明显的C轴择优取向,玻璃衬底上制备的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的电阻率为8.28Ω.cm,空穴浓度和迁移率分别为1.09×1019cm-3和0.069 cm2/V.s。并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的蓝移。p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si异质结的I-V特性曲线表现出明显的整流特性,可以确定制备的Al、N共掺Zn0.9Mg0.1O薄膜的导电类型是p型的。; 高国华叶志镇简中祥卢洋藩胡少华赵炳辉; 关键词：直流反应磁控溅射

Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能被引量：2: 2007年; 利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω.cm,载流子浓度为1.95×1017cm-3,迁移率为0.546cm2/(V.s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.; 简中祥叶志镇高国华卢洋藩赵炳辉曾昱嘉朱丽萍; 关键词：ZNMGO P型掺杂

Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：2: 2008年; 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.; 叶志镇林时胜何海平顾修全陈凌翔吕建国黄靖云朱丽萍汪雷张银珠李先杭; 关键词：LED P型ZNO

射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜被引量：6: 2010年; 采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。; 林兰叶志镇龚丽别勋吕建国赵炳辉; 关键词：射频反应磁控溅射 P型ZNO薄膜退火

脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：11: 2008年; 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。; 叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉; 关键词：氧化锌 CO掺杂脉冲激光沉积

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