您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60566001)

作品数:32 被引量:118H指数:9
相关作者:谢泉陈茜肖清泉闫万珺赵凤娟更多>>
相关机构:贵州大学安顺学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 23篇理学
  • 14篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇石油与天然气...

主题

  • 16篇第一性原理
  • 15篇电子结构
  • 15篇子结构
  • 14篇光学
  • 13篇光学性
  • 13篇光学性质
  • 9篇第一性原理计...
  • 6篇溅射
  • 5篇第一性原理研...
  • 4篇半导体
  • 4篇SEM
  • 4篇XRD
  • 4篇掺杂
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇遗传算法
  • 3篇自适
  • 3篇自适应
  • 3篇自适应遗传
  • 3篇自适应遗传算...

机构

  • 35篇贵州大学
  • 6篇安顺学院

作者

  • 25篇谢泉
  • 11篇陈茜
  • 10篇肖清泉
  • 9篇闫万珺
  • 6篇赵凤娟
  • 5篇杨创华
  • 5篇周士芸
  • 4篇梁艳
  • 4篇曾武贤
  • 4篇张晋敏
  • 4篇杨吟野
  • 4篇任雪勇
  • 3篇刘桥
  • 3篇崔冬萌
  • 3篇李旭珍
  • 3篇余志强
  • 3篇金力
  • 2篇朱林山
  • 2篇赵珂杰
  • 2篇苟富均

传媒

  • 7篇功能材料
  • 5篇物理学报
  • 5篇中国科学(G...
  • 3篇Journa...
  • 2篇重庆工学院学...
  • 2篇Scienc...
  • 1篇山西科技
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇温州大学学报...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇西华大学学报...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 10篇2009
  • 2篇2008
  • 17篇2007
  • 3篇2006
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于自适应遗传算法的模拟电路的电路级综合被引量:1
2006年
利用准精确惩罚函数法构造出价格函数,并且采用自适应遗传算法,进行电路级综合,以获得全局最优解。实验结果表明:利用本方法可以快速设计出满足性能指标的CMOS运算放大器。
金力刘桥
关键词:自适应遗传算法价格函数模拟集成电路
环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展被引量:1
2007年
Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
肖清泉谢泉杨吟野张晋敏任雪勇
关键词:光电性质
V掺杂CrSi2能带结构的第1性原理计算被引量:6
2009年
采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrS i2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrS i2是具有ΔEg=0.35 eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和S i的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25 eV;掺杂后费米面附近的电子能态密度则由Cr的3d层电子、V的3d层电子和S i的3p层电子的态密度共同决定,掺杂后V原子成为受主,在价带顶附近贡献了一定数量的空穴,使掺杂后CrS i2的导电类型变为p型,提高了材料的电导率.
周士芸谢泉闫万珺陈茜
关键词:半导体材料掺杂
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响
采用射频磁控溅射技术在 Si(100)衬底上沉积了 Si-Ca-Si 薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相 CaSi 薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进...
任雪勇谢泉杨吟野肖清泉杨创华曾武贤梁艳
关键词:射频磁控溅射溅射功率
文献传递
Ca2Si电子结构和光学性质的研究被引量:12
2007年
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。
杨创华谢泉赵凤娟陈茜肖清泉
关键词:第一性原理计算电子结构光学性质
机械合金化法制备Cr掺杂Fe-Si合金
2011年
采用高能行星式球磨机制备了Cr掺杂Fe-Si混合粉,用X射线衍射(XRD)测试研究Cr掺杂Fe-Si合金的机械合金化过程,实验结果表明,随着球磨强度的增加,Fe、Cr、Si粉末通过原子扩散实现机械合金化,最佳的球磨工艺参数为:球磨时间35h、球磨机转速360r/min、球料比40:1。
王朋乔谢泉罗倩陈站
关键词:FE-SI合金机械合金化
Fe0.875Mn0.125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法, 对掺 Mn 的β-FcSi的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置, 掺杂是调制材料电子结构的有效方式;(2)在β-FeSi中掺入杂质时掺...
闫万珺谢泉杨创华赵凤娟
关键词:第一性原理电子结构
文献传递
铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究被引量:18
2007年
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.
闫万珺谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤
关键词:Β-FESI2电子结构光学特性
环境友好半导体Ca_2Si的研究进展被引量:1
2007年
概述了Ca2Si的基本性质、制备工艺和应用,阐述了Ca2Si的研究进展及其制备,指出了存在的问题以及今后的研究方向.
任雪勇杨创华肖清泉
关键词:光电材料
Ca2Si电子结构和光学性质的研究
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了 CaSi 电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数.计算结果显示 CaSi 是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且...
杨创华谢泉赵凤娟陈茜肖清泉
关键词:第一性原理计算电子结构光学性质
文献传递
共4页<1234>
聚类工具0