国家大学生创新性实验计划项目(20101028727)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：余乐刘建宁何明霞万龙曹安更多>>
- 相关机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家大学生创新性实验计划项目江苏省自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。
- 余乐刘劲松李子全陈建康何明霞彭洁曹安刘建宁蒋维娜万龙
- 关键词：射频磁控溅射
