中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10)
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 相关作者：杨建华施尔畏刘学超周天宇黄维更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究被引量：7
- 2012年
- 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
- 常少辉刘学超黄维周天宇杨建华施尔畏
- 关键词：光导开关
- 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。
- 石彪刘学超周仁伟杨建华郑燕青施尔畏
- 关键词：3C-SIC碳化缓冲层
- Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。
- 姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏
- 关键词：6H-SIC退火AFM
- 拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布被引量：1
- 2012年
- 采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型.在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域,一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区;另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区.第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多,载流子浓度较高,并且随着晶体生长不断扩大;第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小,且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.
- 郭啸刘学超忻隽杨建华施尓畏
- 关键词：拉曼碳化硅面扫描
