国家自然科学基金(10504027)
- 作品数：4 被引量：30H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 有机发光器件中的塞曼分裂和三重态激子的湮灭被引量：12
- 2009年
- 制备了结构为ITO/α-NPD/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管,并在12,150,200K和室温4种温度下,测量了该器件的电流与电致发光两者的磁场效应.发现在不同温度下,磁场均能显著改变器件的电流和电致发光.在低温(如12～150K)下,电致发光的磁场效应与器件的偏压(对应一定大小的注入电流)有很强的依赖关系,即高偏压时,发光呈现先随磁场增加而快速增强,在50mT处达到最大值后却又随磁场增加而减弱,且偏压越大该减弱越明显,而小偏压时则没有出现饱和之后又衰减的现象.具有相同电流密度的高温(如200K到室温)情况时,各种偏压下也没有发现发光随磁场增加而减弱的趋势.电流的磁效应则在所有温度和所有偏压下都表现为随着磁场增加而增大,并在一定磁场后趋于饱和.此现象可归结为磁场抑制了单重态极化子对到三重态极化子对的系间窜越和磁场减弱了三重态激子对(triplet-triplet pairs)间相互淬灭过程的结果.
- 刘荣雷衍连张勇王振熊祖洪
- 关键词：有机发光二极管磁场效应
- 矫顽力可调的多孔硅基Fe膜被引量：2
- 2006年
- 采用电化学腐蚀法制备了不同多孔度的多孔硅(PS),再通过磁控溅射法在该PS衬底上沉积了一定厚度的Fe膜;并对样品进行了X射线衍射的结构分析、扫描隧道显微技术的表面形貌观察和磁光克尔效应的测量.发现在同一Fe膜厚度下,相对于参考样品硅上的Fe膜,多孔硅上Fe膜的矫顽力更大;同时观察到多孔硅基Fe膜随着PS多孔度的增加,矫顽力相应变大;而对于多孔度相同的多孔硅基样品,随着Fe膜厚度的增加矫顽力却逐步减小.得出了多孔硅特有的海绵状疏松结构能有效调节Fe膜矫顽力大小的结论.
- 邱学军张云鹏何正红白浪刘国磊王跃陈鹏熊祖洪
- 关键词：多孔硅矫顽力
- 磁场对聚合物光电池中电流的影响被引量：4
- 2009年
- 制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Ca/Al的聚合物光电池器件,并在不同偏压下,分别测量了器件的光电流和暗电流随外加磁场的变化.发现随外加磁场增加,光电流增强,暗电流减弱.从聚合物光电池中光电流和暗电流的产生机制出发,对该现象进行了解释,认为外加磁场可以有效改变单重态极化子对和三重态极化子对之间的相对比例,进而使自由载流子浓度增加.光生自由载流子浓度增加是光生电流增强的原因,而自由载流子与三重态激子的相互作用导致了暗电流减弱.开路电压附近,光电流随磁场增加而增强可以近似认为是以上两个效应的综合.
- 雷衍连刘荣张勇谭兴文熊祖洪
- 关键词：磁场效应
- 磁场对有机电致发光的影响被引量：17
- 2007年
- 制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应,且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系:在小偏压时,随着磁场的增加MEL是单调递增,且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和,之后即使磁场增大到约1T的情况下也没有变化;但当偏压变大时,MEL则呈现先增加,在40kA/m处达到峰值后却又减弱,而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释,即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理.
- 王振何正红谭兴文陶敏龙李国庆熊祖洪
- 关键词：有机发光磁场效应
