河北省高等学校科学技术研究指导项目(Q2012084)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 电场中不同能量密度激光烧蚀制备纳米硅晶粒分布特性被引量：1
- 2013年
- 在室温和10 Pa氩气环境中,引入平行于靶面方向的直流电场,通过改变脉冲激光能量密度烧蚀单晶硅靶,在与羽辉轴线呈不同角度的衬底上沉积纳米硅晶薄膜。利用扫描电子显微镜和拉曼散射谱对沉积样品进行分析,结果表明:随着激光能量密度的增加,位于相同角度衬底上的晶粒尺寸和面密度逐渐变大;在同一激光能量密度下,零度角处衬底上的晶粒尺寸和面密度最大,且靠近接地极板处的值比与之对称角度处略大。通过朗缪尔探针对不同能量密度下烧蚀羽辉中硅离子密度变化的诊断、结合成核区内晶粒成核生长动力学过程,对晶粒分布特性进行了分析。
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- 关键词：脉冲激光烧蚀电场
- 基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究
- 2013年
- 在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜。通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析。结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小。结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论。
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- 关键词：脉冲激光烧蚀
- 低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶。在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小;在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大;在3.0～3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒。
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- 关键词：脉冲激光烧蚀纳米SI晶粒
- 电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量：1
- 2014年
- 在室温、10Pa氩气环境氛围中,引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场,采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜,衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明:晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大,且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大;薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小.
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- 关键词：纳米晶粒脉冲激光烧蚀外加电场
- 低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响被引量：1
- 2013年
- 纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点水平方向、距靶2cm处引入一束流量为5sccm的氩(Ar)气流,在0.01—0.5Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在管口正下方1cm处水平放置衬底来沉积纳米Si薄膜;并用同一装置,在0.08Pa的Ar气压下分别引入流量为0,2.5,5,7.5,10sccm的Ar气流沉积纳米Si薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:不引入气流时出现纳米Si晶粒的阈值气压是0.1Pa,引入气流后出现纳米Si晶粒的阈值气压为0.05Pa.晶粒尺寸随着气流流量的增大而减小.
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- 关键词：脉冲激光烧蚀尺寸
