云南省科技攻关计划(2001G06)
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
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- 纳米Ge薄膜的制备及光致发光特性研究被引量：2
- 2005年
- 采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜。应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构。结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移。用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响。
- 高立刚杨宇
- 关键词：磁控溅射拉曼散射X射线衍射光致发光
- 离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究被引量：7
- 2005年
- 采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用。
- 邓书康陈刚高立刚陈亮俞帆刘焕林杨宇
- 关键词：离子束溅射拉曼光谱
- 磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究被引量：3
- 2004年
- 采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
- 高立刚陈刚邓书康陈亮阚家德俞帆杨宇
- 关键词：XRD晶粒尺寸
- 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究被引量：1
- 2004年
- 用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.
- 邓书康陈刚高立刚陈亮俞帆方静华杨宇
- 关键词：离子束溅射非晶硅喇曼散射
- 磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究
- 采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶。并研究了不同尺寸Ge颗粒的Raman散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳...
- 高立刚陈刚邓书康陈亮阚家德俞帆杨宇
- 关键词：XRD晶粒尺寸
- 文献传递
- 离子束溅射Si薄膜的纵向结晶性分析被引量：2
- 2006年
- 研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。纵向分布Raman光谱分析显示,当硅薄膜厚度减薄时,表面硅层的结晶峰强度明显减弱,峰位有微弱的蓝移。最薄的样品显示为非晶态结构。当Raman激光聚焦斑点向64.5nm厚的薄膜样品深层面聚焦取样时,微晶硅薄膜的结晶性先由表层向下逐渐变好,最大晶粒尺寸达3.318nm,最高晶化率达47.6%。最后,当激光聚焦斑点到达薄膜与玻璃衬底的界面孵化层时,硅薄膜显非晶态。
- 孔令德杨宇
- 关键词：微晶硅晶粒尺寸晶化率
- 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
- 用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-si薄膜质...
- 邓书康陈刚高立刚陈亮俞帆方静华杨宇
- 关键词：离子束溅射非晶硅喇曼散射
- 文献传递
