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基于HFCVD法密封环基体的温度场仿真及实验被引量：2: 2014年; 为了在碳化硅密封环端面上生长出均匀一致的金刚石涂层，提出了采用三维有限元法模拟基体温度场的方法优化沉积工艺参数。首先，通过在实际沉积系统中的测温实验，验证了仿真结果的正确性。然后，在温度场仿真中分析了热丝直径（D）、热丝间距（S）和工作台冷却水流速（F）等参数对衬底温度场均匀性的影响，进而这些参数被分别优化为0．6mm、16～18mm和30mL／s。此外，通过有限元仿真还分析了热丝弯曲（B）对衬底温度场的影响。最后，通过采用扫描电子显微镜（SEM）和拉曼（Raman）谱仪，对以优化后的参数在碳化硅密封环基体上沉积的金刚石涂层进行了性能表征。结果表明：在密封环的端面上沉积了一层连续、厚度一致的高质量金刚石涂层，从而验证了仿真结果的正确性。; 刘建锦张韬王新昶沈彬孙方宏; 关键词：温度场仿真化学气相沉积法金刚石涂层

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江苏省自然科学基金(BK2012203)