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国家自然科学基金(50871044)

作品数:2 被引量:14H指数:2
相关作者:郭兴蓬邱于兵黄华良潘志权杨家宽更多>>
相关机构:华中科技大学武汉工程大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金湖北省教育厅重点项目更多>>
相关领域:金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇动电位扫描
  • 1篇枝晶
  • 1篇枝晶生长
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇PC
  • 1篇XRD
  • 1篇B-C
  • 1篇CL
  • 1篇CORROS...
  • 1篇EDAX
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇FR-4
  • 1篇MIGRAT...
  • 1篇大气腐蚀
  • 1篇大气腐蚀行为
  • 1篇U
  • 1篇DENDRI...
  • 1篇COPPER

机构

  • 3篇华中科技大学
  • 1篇武汉工程大学

作者

  • 3篇郭兴蓬
  • 2篇黄华良
  • 1篇潘志权
  • 1篇华丽
  • 1篇杨家宽
  • 1篇邱于兵

传媒

  • 1篇中国腐蚀与防...
  • 1篇Transa...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
PCB-Cu在周期性干湿循环条件下的大气腐蚀行为
随着PCB-Cu在电子、计算机、通信等领域的广泛应用,人们愈加关注PCB-Cu在大气环境中所出现的腐蚀问题。目前国内外已经应用多种测试手段对铜的大气腐蚀进行了研究,并对其腐蚀机理进行了讨论。由于大气环境的复杂性,如相对湿...
黄华良陈振宇郭兴蓬
文献传递
Effects of direct current electric field on corrosion behaviour of copper, Cl- ion migration behaviour and dendrites growth under thin electrolyte layer被引量:10
2014年
Effect of direct current electric field (DCEF) on corrosion behaviour of copper printed circuit board (PCB-Cu), Cl-ion migration behaviour, dendrites growth under thin electrolyte layer was investigated using potentiodynamic polarization and scanning electron microscopy (SEM) with energy dispersive spectrometer (EDS). Results indicate that DCEF decreases the corrosion of PCB-Cu;Cl-ions directionally migrate from the negative pole to the positive pole, and enrich on the surface of the positive pole, which causes serious localized corrosion; dendrites grow on the surface of the negative pole, and the rate and scale of dendrite growth become faster and greater with the increase of external voltage and exposure time, respectively.
黄华良潘志权郭兴蓬邱于兵
关键词:COPPERDENDRITESMIGRATION
Sn-0.7Cu焊料在覆Cu FR-4 PCB板上电化学腐蚀及枝晶生长行为研究被引量:4
2010年
用动电位扫描结合EDAX、XRD和SEM研究无铅焊料Sn-0.7Cu在覆Cu FR-4基板上于3.5mass%NaCl溶液中电化学腐蚀行为及枝晶生长过程。结果显示,Sn-0.7Cu钎料腐蚀主要以共晶组织中Sn腐蚀为主;且随着电场强度增大,腐蚀电流密度增大,低电场为均匀腐蚀,高电场时有不均匀腐蚀发生。钎料枝晶生长引起"桥连"短路问题严重影响电子产品可靠性,EDAX分析表明,枝晶上Cu离子含量大于Sn离子,说明Cu离子的电化学迁移能力和还原沉积能力大于Sn。枝晶生长是螺旋式从内到外沿四个方向最快伸展的生长方式,晶粒形成存在一定取向,主要为(411)和(220);电场强度越大,枝晶生长速率越快,桥连时间愈短;当阴、阳间距为3 mm时,两极桥连时间分别为12.5 h(8 V),20.4 h(5 V),28.5 h(3 V),39.6 h(1V)。XRD结果显示其腐蚀产物主要为:SnO_2,SnCl_4;枝晶组成主要为:Sn,SnO_2,SnCl_4,Cu,CuCl_2。
华丽郭兴蓬杨家宽
关键词:枝晶生长动电位扫描EDAXXRD
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