国家高技术研究发展计划(YOGZ028003)
- 作品数:1 被引量:15H指数:1
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- 相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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- 干冰微粒喷射清洗技术被引量:15
- 2012年
- 简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。
- 郭新贺王磊景玉鹏
- 关键词:RCA清洗硅片清洗CO2