中国博士后科学基金(2005037242)
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：机械工程电气工程理学更多>>
- 紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制被引量：3
- 2006年
- 针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.通过对比几组试验参数的应力分析结果,验证了薄膜应力的大小和应力梯度的分布主要与匀胶时间和速度有关,而与加速度的关系较小.因此,当选用匀胶转速为5 000 r/min、时间为30 s时,薄膜应力分布最优,成膜质量最佳,能够满足压印光刻工艺中300 nm级图型的保真复型需求.
- 尹磊丁玉成卢秉恒刘红忠
- 关键词：压印光刻薄膜应力
- 压印光刻中紫外光诱导阻蚀胶固化控制计算被引量：2
- 2007年
- 针对压印过程中两类基本的复型缺陷,从实验分析中得出其主要原因是曝光后阻蚀胶的固化程度难以控制.通过分析紫外曝光光源与阻蚀胶的光谱匹配性,得出使得阻蚀胶固化的有效波长为365 nm;对光诱导紫外曝光过程中紫外光的传播分析,建立了阻蚀胶中光强分布的数学模型;用粘度来表征阻蚀胶的固化程度,建立了阻蚀胶中的粘度分布函数.分析了阻蚀胶对365 nm紫外光的吸收率以及膜厚对阻蚀胶中光强分布均匀性的影响,得出复型后阻蚀胶凸起处的光强分布均匀性对吸收率及膜厚更为敏感的结论.
- 陈立峰卢秉恒
- 关键词：压印光刻粘度
- 纳米压印光刻中的多步定位研究被引量：5
- 2006年
- 在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100 mm行程驱动的前提下,达到小于10 nm的定位技术指标.
- 刘红忠丁玉成卢秉恒王莉邱志惠
- 关键词：纳米压印光刻非线性控制
- 基于纳米压印技术的光伏器件微三维构型研究被引量：2
- 2006年
- 将纳米压印技术应用到三明治结构光伏器件制作.采用具有三维微结构(平行波纹、离散孤岛)软模具,通过纳米压印将定制化微三维结构转印到电子给体层和电子受体层的异质结界面上,以增大异质结界面实际面积,提高光伏效率.通过仿真计算,模拟了通过微结构界面几何改变,提高有效面积内异质结界面实际接触面积,从而增大载流子浓度的过程,优化三维微结构几何特征.典型试验结果证明了光伏器件异质结三维微结构界面对光伏效率的良好效果.
- 尹磊刘红忠丁玉成卢秉恒
- 关键词：纳米压印光伏器件
- 紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺被引量：1
- 2006年
- 针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图.实验结果表明,减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率,提高刻蚀各向异性.通过对刻蚀参数的优化配置,当射频功率在200 W、反应气体流速在30 mL/min、反应腔室压力为0.6 Pa时,刻蚀速率可以稳定在265 nm/min,各向异性值可以达到13,因此实现了对压印图质形的高质量转移.
- 史永胜丁玉成卢秉恒刘红忠
- 关键词：残膜反应离子刻蚀
- 压印光刻中模具空间位姿的识别及仿真被引量：1
- 2007年
- 在纳米压印光刻中,为了减小模具与晶片的平行度误差,将精对正光栅标记的相对误差校正到半栅距范围之内,并建立了点光源映射的数学模型,对模具空间位姿的投影进行图像识别.在算法设计的基础上,建立了纳米压印光刻系统中的粗对正系统及其控制流程,通过仿真计算,可以将模型的转角计算精度控制在10-6rad以下,位置偏移量计算精度控制在1 nm以下,所建立的粗对正系统的检测精度可达到1μm以下,因此满足了压印光刻中下一步精对正系统的要求.
- 蒋维涛丁玉成卢秉恒刘红忠
- 关键词：纳米压印
