国家自然科学基金(10675055)
- 作品数：3 被引量：16H指数：2
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- 超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：14
- 2007年
- 将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBEDV0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
- 李金华袁宁一谢太斌但迪迪
- 关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积温度系数
- Ta掺杂VO_2多晶薄膜的相变特性
- 2009年
- 以氧化二乙酰丙酮合钒(C10H14O5V)为前驱体,乙醇钽[Ta(OC2H5)5]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si(100)和SiO2/Si衬底上制备了V1-xTaxO2(x=0-0.1)多晶薄膜。XRD谱图显示薄膜呈(011)面取向生长。随着Ta掺杂量的增大,d(011)基本呈线性增大表明Ta替代了V在晶格中的位置,实现了替位掺杂。每掺杂1%原子比的Ta,相变温度降低7.8℃,相变热滞减小1℃。SiO2/Si衬底上5%原子比掺杂薄膜的相变温度为29.5℃,室温(300 K)电阻-温度系数(TCR)为-8.44%/K。两种衬底上掺杂V0.9Ta0.1O2薄膜的升温和降温电阻-温度曲线基本重合。实验结果显示,Ta是降低VO2薄膜的相变温度和消除相变热滞的有效掺杂剂。
- 赵蒙李金华郑巍峰付学成
- 关键词：二氧化钒薄膜电阻温度系数溶胶-凝胶法
- 溶胶凝胶法制备多孔SiO_2薄膜的新方法被引量：2
- 2009年
- 以氨水、醋酸为催化剂,用正硅酸已酯(TEOS)为Si源,甘油作为防裂剂,聚乙烯醇(PVA1750)作为致缓剂和发泡剂,制作多孔SiO2薄膜。碱催化使得硅-羟基化合物的溶解度增大,并抑制了SiO2的聚合,弱酸的二步催化使硅-羟基化合物聚合成10～100nm的胶粒。丙三醇和TEOS水解的中间体Si(OC2H5)4-x(OH)x硅羟基形成氢键,抑制了硅-羟基化合物的聚沉,PVA的存在减缓了溶胶的聚合,在快速退火炉热处理时产生多孔结构。多孔SiO的厚度在3μm内可调。
- 郑巍峰李金华赵蒙付学成
- 关键词：溶胶凝胶法正硅酸乙酯快速退火
