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中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(JY10000925005)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张义门徐大庆童军更多>>
相关机构：西安科技大学西安电子科技大学更多>>
发文基金：博士科研启动基金国防科技技术预先研究基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇故意
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇磁学
  • 1篇磁学特性

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇西安科技大学

作者

  • 1篇童军
  • 1篇徐大庆
  • 1篇张义门

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
2014年
通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga,Mn)N中Mn离子的LV引起的新的声子模.在GaN:Mn薄膜的光致发光谱中观察到位于2.16,2.53和2.92 eV处的三个新发光峰(带),其中位于2.16 eV处的新发光带不能排除来自Mn相关辐射复合的贡献.对GaN:Mn薄膜的霍尔测试显示,退火处理后样品表现出n型体材料特征.对GaN:Mn薄膜的振动样品磁强计测试显示,GaN:Mn薄膜具有室温铁磁性,其强弱受Mn相关杂质带中参与调节磁相互作用的空穴浓度的影响.
徐大庆张义门娄永乐童军
关键词：光致发光室温铁磁性退火
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