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国家高技术研究发展计划(2008AA031402)

作品数:8 被引量:8H指数:2
相关作者:翟继卫汪昌州赖天树凌云李宜瑾更多>>
相关机构:同济大学中山大学中国科学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇存储器
  • 3篇相变存储
  • 3篇相变存储器
  • 2篇相变
  • 1篇电子市场
  • 1篇声子
  • 1篇声子谱
  • 1篇数值模拟
  • 1篇随机存储器
  • 1篇相变随机存储...
  • 1篇相干
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇非晶
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体产业
  • 1篇半导体存储
  • 1篇半导体存储器
  • 1篇PHASE-...
  • 1篇RANDOM...

机构

  • 5篇同济大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中山大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 3篇翟继卫
  • 2篇贾晓玲
  • 2篇汪昌州
  • 2篇宋志棠
  • 2篇罗胜钦
  • 2篇赖天树
  • 2篇李宜瑾
  • 2篇凌云
  • 1篇姚熹
  • 1篇朱伟玲
  • 1篇龚岳峰
  • 1篇胡益丰
  • 1篇文婷

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 1篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
Simulation of Voltage SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling被引量:1
2010年
A three-dimensional finite element model for phase change random access memory is established to simulate electric, thermal and phase state distribution during (SET) operation. The model is applied to simulate the SET behaviors of the heater addition structure (HS) and the ring-type contact in the bottom electrode (RIB) structure. The simulation results indicate that the small bottom electrode contactor (BEC) is beneficial for heat efficiency and reliability in the HS cell, and the bottom electrode contactor with size Fx=80 nm is a good choice for the RIB cell. Also shown is that the appropriate SET pulse time is lOOns for the low power consumption and fast operation.
GONG Yue-Feng SONG Zhi-Tang LING Yun LIU Yan LI Yi-Jin
相变存储器中选通二极管的模型与优化
2010年
设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。
李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦
关键词:相变存储器数值模拟
相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法
2010年
由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。
李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲
关键词:相变存储器TCAD
基于相变存储器的相变存储材料的研究进展被引量:4
2009年
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势。
汪昌州翟继卫姚熹
关键词:相变存储器
Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究被引量:2
2013年
采用磁控二靶(Ga(30)Sb(70)和Sb(80)Te(20))交替溅射方法制备了新型Ga(30)Sb(70)/Sb(80)Te(20)纳米复合多层薄膜,对多层薄膜周期中Ga(30)Sb(70)层厚度对相变特性的影响进行了研究.结果表明,多层薄膜的结晶温度可以通过周期中Ga(30)Sb(70)层厚度进行调节,且随着Ga30Sb70层厚度的增加而升高.Ga(30)Sb(70)/Sb(80)Te(20)纳米复合多层薄膜的光学带隙随Ga(30)Sb(70)层厚度的增加而增大.采用皮秒激光脉冲抽运光探测技术研究了多层薄膜的瞬态结晶动力学过程,利用不同能量密度的皮秒激光脉冲可以实现Ga(30)Sb(70)/Sb(80)Te(20)多层薄膜非晶态和晶态的可逆转变.
汪昌州朱伟玲翟继卫赖天树
关键词:相变光学特性
非晶N:GeSb薄膜的光致晶化及其相干声子谱表征
2014年
利用对微结构变化非常灵敏的相干声子光谱技术研究了非晶N:GeSb薄膜的光致相变特征。发现当激光辐照能流达到某个阈值时,出现了一个新的声子模,表明相变的发生。同时,退火晶化的N:GeSb薄膜也出现此新的声子模,表明激光照射的确导致了薄膜的晶化。相干光学声子谱的抽运能量密度依赖实验结果表明光致晶化的N:GeSb薄膜的相干光学声子的寿命和频率均随抽运能量密度增加而减小,与晶体中的依赖关系一致。结果表明N:GeSb薄膜的光致晶化质量较好,具有相变光存储应用潜力。
李忠谕胡益丰文婷翟继卫赖天树
关键词:N
相变随机存储器存储材料及关键技术被引量:1
2012年
半导体存储器是半导体产业的重要组成部分,近几年来随着消费电子市场的快速增长,存储器的市场越来越大。我国由于人口众多以及半导体业的飞速发展,在2005年成为全球消耗IC最大的市场,
关键词:随机存储器相变半导体存储器电子市场半导体产业
Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate
2010年
The effect of the ammonium molybdate concentration on the material removal rate(MRR) and surface quality in the preliminary chemical mechanical polishing(CMP) of a rough glass substrate was investigated using a silica-based slurry.Experimental results reveal that the ammonium molybdate concentration has a strong influence on the CMP behaviors of glass substrates.When the ammonium molybdate was added to the baseline slurry,polishing rates increased,and then decreased with a transition at 2 wt.%,and the root mean square(RMS) roughness decreased with increasing ammonium molybdate concentration up to 2 wt.%,after which it increased linearly up to 4 wt.%.The improvement in MRR and RMS roughness may be attributed to the complexation of hydrolysis products of the glass substrate with the ammonium molybdate so as to prevent their redeposition onto the substrate surface.It was found that there exists an optimal ammonium molybdate concentration at 2 wt.%for obtaining the highest MRR and the lowest RMS roughness within a particular polishing time.
张泽芳刘卫丽宋志棠
共1页<1>
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