教育部科学技术研究重点项目(2012031)
- 作品数：9 被引量：16H指数：2
- 相关作者：唐立丹王冰赵斌王建中崔维更多>>
- 相关机构：辽宁工业大学大连华锐重工集团股份有限公司更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目辽宁省自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术电子电信更多>>
- 表面活性剂对ZnO纳米棒阵列生长的影响被引量：2
- 2013年
- 以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米棒的长径比和密度较未添加活性剂时分别提高2.1倍和2.4倍。
- 王冰唐立丹刘哲孙明明王建中
- 关键词：ZNO纳米棒阵列表面活性剂水热合成
- 脉冲电磁场对TiO_2纳米线阵列的影响
- 2015年
- 利用脉冲电磁场辅助水热合成法制备TiO_2纳米线阵列薄膜,证明不同的脉冲电压对TiO_2纳米线的生长具有较大影响。采用FESEM、XRD等手段对TiO_2纳米线阵列的形貌和结构进行表征,结果表明:当施加的脉冲电压为500V时,生长出的TiO_2纳米线阵列尺寸大体均匀,取向基本一致,排列较为整齐,无明显的生长异常区。生长的TiO_2纳米线属于金红石结构,与衬底匹配良好。同时对脉冲电磁场影响下的TiO_2纳米线阵列生长机理进行深入分析。
- 唐立丹崔维万高堂王冰梅海林
- 关键词：脉冲电磁场水热合成太阳电池
- 水热合成TiO_2纳米线阵列及其生长机理的研究
- 2015年
- 利用水热合成方法制备了TiO_2纳米线阵列薄膜。研究发现,反应溶液浓度对TiO_2晶型及形貌具有较大的影响。当钛酸丁酯质量浓度为1.2%~1.6%时,可生长出大面积纳米线阵列膜,且薄膜均匀致密,与衬底附着性好;当钛酸丁酯质量浓度为1.4%~1.6%时,纳米线取向更加一致,尺寸更均匀。用该方法制备的TiO_2纳米线为金红石结构,结晶度较好。文章分析了纳米棒的生长机理,并指出反应液浓度影响水解反应速率,适当的反应速率可以生长出均匀形核,并沿垂直于衬底的方向生长,形成TiO_2纳米线阵列膜。
- 唐立丹崔维王冰梅海林王邵鹏
- 关键词：钛酸丁酯水热合成
- 磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜结构及光电性能研究被引量：1
- 2017年
- 采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备不同铝(Al)掺杂量的铝掺氧化锌(AZO)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了不同Al掺杂量对AZO薄膜结构、形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,所有样品均为ZnO六方纤锌矿晶体结构,具有较好的c轴择优取向;随着Al掺杂量的增加,薄膜结晶稍有变差,电阻率逐渐降低,透过率逐渐增加。当Al掺含量为3%(vol,体积分数)时,AZO薄膜的综合性能更好,电阻率约3.52×10^(-3)Ω·cm,平均透光率可达到80%,光学禁带宽度达到3.23eV。
- 赵斌唐立丹王冰
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射电阻率透光度
- 电脉冲孕育处理对铝硅活塞合金组织和性能的影响被引量：3
- 2015年
- 通过金相显微分析、能谱分析、相结构分析、显微硬度分析等实验,研究了不同电脉冲孕育处理参数对Al-Si活塞合金组织和性能的影响。结果表明,电脉冲孕育处理可以细化合金凝固组织,提高α(Al)基体中Cu、Ti、Si等元素的固溶度,增加基体显微硬度;不同脉冲参数处理后,合金基体显微硬度提高10.0%~14.2%。
- 王冰王家毅唐立丹王绍鹏王建中
- 关键词：AL-SI活塞相结构显微硬度
- 原子层沉积低温制备AZO薄膜被引量：1
- 2015年
- 采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析。结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al掺杂对Zn O的(002)有明显的抑制作用,Al在基体中弥散分布,其部分替换Zn O晶格中的Zn,以Al—O的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO薄膜电阻率为4.61×10-4Ω·cm。
- 唐立丹梅海林冯嘉恒王冰
- 关键词：原子层沉积晶态薄膜
- 磁控溅射AZO透明导电薄膜及其光电性能的研究被引量：7
- 2015年
- 采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备AZO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了衬底温度对AZO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,所有的AZO薄膜均为纤锌矿结构且具有较好的c轴取向。薄膜表面平整,晶粒约为55.56 nm。随着衬底温度升高,薄膜电阻率先降低而后升高,当衬底温度为350℃时,电阻率最小,约为1.41×10–3?·cm,而且该薄膜具有较好的透光率,约为84%。
- 赵斌唐立丹梅海林王冰
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射衬底温度结构特性
- 退火温度对磁控溅射TiO_2薄膜相变的影响被引量：1
- 2016年
- 利用射频磁控溅射制备了TiO_2薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电镜、四探针等手段对薄膜进行了表征,研究了氩气气氛下退火温度对TiO_2薄膜的形貌、结构和电学性能的影响。研究结果表明,氩气气氛下600℃退火的TiO_2薄膜颗粒大小均匀,表面结构致密。400～600℃退火时薄膜为单一的锐钛矿相,700℃退火时薄膜为非晶相,800℃退火时薄膜完全转变为金红石相。退火温度为500℃时,该TiO_2薄膜的电阻率最低,电学性能最佳。
- 梅海林唐立丹王冰梅思涵
- 关键词：TIO2薄膜磁控溅射锐钛矿金红石退火温度
- 磁控溅射TiO_2薄膜的相结构转变温度被引量：2
- 2016年
- 利用射频磁控溅射制备了TiO_2致密薄膜,并通过退火实现TiO_2的相转变,采用扫描电镜,X射线衍射等手段对薄膜相结构进行表征并做了详细的分析。结果表明,退火后TiO_2薄膜结构致密,表面呈现出大小均匀的纳米晶粒。400℃退火时,TiO_2薄膜为单一的锐钛矿相,500～600℃退火时为锐钛矿和金红石混合相,700℃以上退火时则完全转变为金红石相。
- 梅海林唐立丹王冰董国建
- 关键词：磁控溅射TIO2薄膜退火
