国家自然科学基金(61204065) 作品数:9 被引量:21 H指数:3 相关作者: 方芳 方铉 王晓华 魏志鹏 李金华 更多>> 相关机构: 长春理工大学 南昌大学 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家教育部博士点基金 吉林省科技发展计划基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 被引量:1 2015年 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。 陈芳 房丹 王双鹏 方铉 唐吉龙 赵海峰 方芳 楚学影 李金华 王菲 王晓华 刘国军 马晓辉 魏志鹏关键词:P型ZNO 原子层沉积 光致发光 表面修饰的ZnS:Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测 被引量:7 2013年 采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面团聚现象得到改善,并且尺寸单一、单分散性较好,平均粒径约为5 nm。经过修饰后的样品减少了表面非辐射性缺陷中心,使掺杂Mn2+所引起的595 nm附近的发射峰强度增大。将MPA修饰后的ZnS:Mn量子点与牛血清白蛋白(BSA)分子进行生物偶联,并利用BCA法对偶联上的蛋白含量进行定量检测,结果显示经过修饰后的量子点偶联蛋白的能力更强。 杜鸿延 魏志鹏 李霜 楚学影 方铉 方芳 李金华 陈新影 王晓华关键词:ZNS MN 表面修饰 发光 柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文) 被引量:2 2012年 以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。 李晓妮 方芳 方铉 陈新颖 魏志鹏 李金华 楚学影 王晓华关键词:ZNO ALD 生长温度 柔性衬底 PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文) 被引量:2 2016年 研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层,并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300—370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。 陈芳 方铉 王双鹏 牛守柱 方芳 房丹 唐吉龙 王晓华 刘国军 魏志鹏关键词:氮化铝 生长速率 结晶化 沉积温度 Influence factors and mechanism of emission of ZnS:Cu nanocrystals 2015年 Copper-doped ZnS (ZnS:Cu) nanocrystals are synthesized by the sol-gel method. The average size of the ZnS:Cu nanocrystals is 3.1 nm. The x-ray diffraction indicates that increasing the Cu-dopant concentration results in a large shift in the diffraction angle. The effects of the dopant concentration, the reactant ratio, and aging temperature on the optical properties of the ZnS:Cu nanocrystals are also investigated. The fluorescence emission mechanism is analyzed by peak deconvolution using Gaussian functions. We find that the emission of the ZnS:Cu nanocrystal is composed of different luminescence centers at 430, 470, 490, 526, and 560 nm. The origins of these emissions are discussed and demonstrated by controlled experiments. 楚学影 王欣浓 李金华 姚丹 方铉 方芳 魏志鹏 王晓华关键词:LUMINESCENCE 基于3D打印技术的老年家居产品设计系统开发 被引量:3 2021年 针对当前社会老龄化所出现的各类问题,提出一种基于3D打印技术的产品设计系统,以满足老年人在脱离工作后可以独立生存,提高自身的个人生存能力。采用智能化现代技术,引入3D打印技术进行老年居家产品系统设计,让老人可以更加方便地使用家居产品。对老人而言,不管是心理还是生理都是一种极大的帮助。结果表明,该设计系统可以更好地实现老人的基本需求,方便推广及应用。 肖丽 魏开伟 陈奇峰关键词:3D打印 实例分析 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn(1-x)O纳米纤维及其光学性质研究 被引量:1 2014年 采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发光(PL)和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对样品测试并进行表征分析。结果表明,Mg元素的掺入并没有改变ZnO纳米纤维的形貌,所有样品的表面形貌极其相似,只是掺杂后纤维直径有所增大;随着Mg掺杂浓度的增加吸收边逐渐发生蓝移,表明所制备MgxZn1-xO纤维的带隙具有可调节性。与此同时,在PL谱中可以观察到样品的紫外(UV)发光峰从377nm移动至362nm,且与不掺杂的样品相比,MgxZn1-xO纳米纤维的UV发光强度明显增强。通过这种方法可以合成组分可控的MgxZn1-xO纳米纤维。在ZnO中掺入Mg元素可以有效地提高ZnO-PVP纳米纤维的禁带宽度以及UV发射强度。 贾慧民 唐吉龙 方铉 王双鹏 赵海峰 房丹 王晓华 方芳 李金华 楚学影 魏志鹏 马晓辉 徐莉关键词:PVP 纳米纤维 静电纺丝 ALD 基于三维视觉图像分析的路径规划系统设计 被引量:4 2021年 传统路径规划系统未进行路径视觉分析,导致规划效果不佳。为此,提出并设计基于三维视觉图像分析的路径规划系统。首先,标定立体相机,采集区域图像,对图像进行预处理和校正,生成视差图,完成图像的视觉分析,在此基础上通过三维点云和OpenGL显示重建三维视觉图像。输入真实背景信息,与重建得到的三维视觉图像融合,对视觉图像进行旋转、平移等位置调整操作,交互放置,完成路径规划系统设计。实验结果表明,该系统的路径规划精度高达95%,且虚拟景观与背景融合误差较低,能够获取很好的路径规划效果,应用于实际路径规划领域。 徐曼 唐非江关键词:路径规划 三维视觉 图像重建 图像融合 系统设计 MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究 被引量:1 2014年 采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。 吕珊珊 方铉 王佳琦 方芳 赵海峰 楚学影 李金华 房丹 唐吉龙 魏志鹏 马晓辉 王晓华 浦双双 徐莉关键词:溶胶-凝胶 退火温度