北京市自然科学基金(2072004)
- 作品数：12 被引量：17H指数：3
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- 结合连续管线成型技术和粉末套管法制备SiC掺杂的MgB_2超导线材研究
- 2008年
- 结合连续管线成型技术和粉末套管方法,原位掺杂SiC制备出了20m长的单芯MgB2/Fe、MgB2/Nb/Fe线材和7芯、19芯及49芯的MgB2/Nb/Cu/Fe复合多芯线材。采用XRD和SEM分别对烧结后样品芯部进行相成分和微观结构研究,并通过TEM对SiC掺杂的机理进行了简单分析。采用四引线法对线材进行电流测量并获得临界电流密度。结果表明,线材经过不同温度保温15min的真空退火后,在800℃形成的MgB2相含量最高,其中单芯MgB2/Fe线材在4.2K,11T下Jc值超过104A/cm2,7芯复合线材在4.2K,7.5T下Jc值也达到104A/cm2,并且具有较好的热稳定性,在低场下仍可稳定通过电流。
- 马麟索红莉张子立王朝高培阔刘敏赵跃曹玲柱李亚明周美玲
- 关键词：SIC掺杂
- 纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析
- 2010年
- 本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm)。
- 吉元王丽张隐奇卫斌索红莉王建宏程艳玲
- 关键词：外延层LA2ZR2O7GAN
- 低氟TFA-MOD工艺快速制备YBCO超导厚膜的研究被引量：4
- 2010年
- 为提高TFA-MOD工艺制备YBCO薄膜的生产效率,实验采用了丙烯酸盐对传统三氟乙酸盐进行部分替换.由于前驱溶液中氟含量的减少,低温预处理过程升温速率可达到300℃/h;并通过对低温预烧工艺中气氛的调整,避免了增稠剂二乙醇胺的添加对薄膜质量造成的不利影响,使其添加上限达到0.75g/5mL.经过工艺改进,单次涂膜厚度可达到1μm.虽然由于厚度的增加,表面有a轴晶粒出现,但薄膜内部仍具有较优的微观结构.其临界电流密度(Jc)及临界转变温度(Tc)分别达到3.5MA/cm2和90K.
- 汤潇索红莉叶帅刘敏吴紫平周美玲
- 关键词：YBCOTFA-MOD丙烯酸二乙醇胺
- 涂层导体用Ni-7%W合金基带的织构分析被引量：2
- 2009年
- 采用先进的放电等离子烧结技术(SPS)制备Ni7W合金初始坯锭,通过优化高能球磨和烧结工艺以及后续和热处理工艺制备出高度立方织构的Ni7W合金基带。利用电子背散射衍射(EBSD)技术对Ni7W合金基带的晶粒取向、晶界特征等信息进行采集和分析,对其织构进行了表征。该基带无需抛光,即可获得高花样质量的电子背散射衍射图像。EBSD测试结果表明:该Ni7W基带表面10°以内立方织构晶粒质量分数高达99.4%,10°以内晶界长度质量分数为93.6%,具有高质量的立方织构。
- 祝永华索红莉赵跃高忙忙马麟高培阔王建宏周美玲
- 关键词：立方织构涂层导体
- 用化学溶液方法在Ni-5at% W基底上制备La_2Zr_2O_7过渡层的研究被引量：4
- 2007年
- La2Zr2O7(LZO)过渡层以其独特的物理化学性质越来越受到人们的关注。本文以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为前驱盐,丙酸为溶剂配置前驱液,用化学溶液方法(CSD)在具有立方织构的Ni-5at%W基底上制备了LZO过渡层薄膜。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对LZO成相以及取向的影响。用常规XRD和X射线四环衍射仪分析了LZO薄膜的相成分和织构。结果显示,在1050℃下退火可以获得强立方织构的LZO薄膜,其中(222)峰的Phi扫描半高宽值为8.95°;(400)峰的Chi扫描半高宽值为6.8°。用高分辨扫描电子显微镜(FE-SEM)观察到LZO薄膜表面均匀致密,没有裂纹和空洞。
- 何东索红莉赵跃刘敏张迎肖叶帅马灵姬周美玲
- 关键词：过渡层立方织构涂层导体
- TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究
- 分别制备了8%(质量分数)的 TiC 和5%(质量分数)的 SiC 掺杂的 MgB超导块材,并对比分析了这两种掺杂物对 MgB超导块材的性能影响．所有样品均在流动的 Ar 气保护下在不同退火温度下退火,研究发现 TiC ...
- 张子立索红莉马麟刘敏李亚明赵福祥梁小涛赵跃施智祥周美玲
- 关键词：MGB2超导体
- 文献传递
- 基于EBSD技术对NiW合金复合基带表面微取向的分析
- 采用 EBSD 技术对大冷轧变形量、再结晶退火后的 Ni-W 复合基带的表面织构进行了表征,对其晶粒取向信息、晶界特征等信息进行采集和分析．该基带经过冷轧和再结晶退火后,无需抛光,即可获得具有花样质量较高的 Ni 基复合...
- 祝永华索红莉赵跃刘敏何东马麟吉元周美玲
- 关键词：EBSD复合基带立方织构
- 文献传递
- 用化学溶液方法在NiW基底上制备Ce_(1-x)Zr_xO_2过渡层的研究
- 2008年
- 以乙酰丙酮铈和乙酰丙酮锆为前驱盐,以正丙酸和异丙醇为溶剂获得了前驱液。用化学溶液方法(CSD)在YSZ和自制的NiW基底上制备出了Ce1-xZrxO2过渡层。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对其成相和取向的影响。用常规XRD分析其相成分和织构。结果表明,优化工艺下获得的纯CeO2和Zr掺杂的CeO2薄膜均具有良好的立方织构。通过X射线四环衍射仪测出的Ce1-xZrxO2过渡层的(111)Φ扫描和(200)摇摆曲线的半高宽值说明其具有很强的双轴织构。另外,Zr掺杂获得的薄膜的表面质量得到了明显改善,晶粒也得到了细化。
- 马灵姬索红莉赵跃何东刘敏叶帅高忙忙程艳玲马麟周美玲
- 关键词：过渡层立方织构
- 在NiW合金基底上用化学溶液法制备CeO2/La2Zr2O7过渡层被引量：1
- 2008年
- 采用化学溶液方法(CSD)在立方双轴织构的NiW合金基底上制备出了CeO2/La2Zr2O7(LZO)过渡层。利用常规XRD和XRD四环衍射仪对薄膜的取向进行了研究,结果显示CeO2薄膜和LZO薄膜具有很强的面内和面外取向,其中,CeO2(111)面φ扫描的半高宽值(FWHM)约8.35°,(200)面ω扫描的FWHM值约为6.54°。用高分辨扫描电子显微镜观察到薄膜表面致密平整,没有裂纹和孔洞。原子力显微镜测试结果表明,在30μm×30μm范围内,CeO2薄膜表面均方根粗糙度(Rrms)为5.9nm。
- 何东索红莉赵跃高忙忙刘敏叶帅祝永华王榕马麟周美玲
- 关键词：CEO2LA2ZR2O7过渡层化学溶液法
- 基于EBSD技术对NiW合金复合基带表面微取向的分析
- 2007年
- 采用EBSD技术对大冷轧变形量、再结晶退火后的Ni-W复合基带的表面织构进行了表征，对其晶粒取向信息、晶界特征等信息进行采集和分析。该基带经过冷轧和再结晶退火后，无需抛光，即可获得具有花样质量较高的Ni基复合基带表面的EBSD图像。经Orientation Imaging Microscopy^TM（OIM）4．6软件分析，结果表明该Ni基复合基带表面10°以内立方织构晶粒百分含量为97．9％。
- 祝永华索红莉赵跃刘敏何东马麟吉元周美玲
- 关键词：EBSD复合基带立方织构
