国家自然科学基金(10975010)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：核科学技术理学更多>>
- MeV能量Si^+引起二次离子发射的研究被引量：2
- 2012年
- 利用北京大学2×1.7 MV串列加速器终端的飞行时间(TOF)谱仪,分别用1.5、2.0和3.0MeV三种能量的初级束Si+轰击样品来研究其二次离子发射现象,使用的样品包括石墨、碳纳米管等。结果表明,采用合理的降噪方法后得到了高信噪比和高时间分辨率的二次离子质谱,实现了全质量范围无遗漏记谱。利用H-C12峰刻度之后,计算得出二次离子各成分的最可能构成及产额,碳纳米管样品表面氢质量含量为8.15%。同时,发现MeV能区二次离子产额与Si+阻止本领之间的关系并非简单的正相关。
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- 关键词：二次离子质谱飞行时间降噪碳纳米管
- 二次离子质谱进展被引量：4
- 2011年
- 指出了二次离子质谱技术在材料表面分析方面有着广泛的应用,随着探测方法的改进,此技术也得到了迅速发展.在北京大学2×1.7MV串列静电加速器实验室,利用加速器飞行时间二次离子质谱装置对碳基材料进行了分析,通过实验观察到碳纳米管材料对氢具有很强的吸附能力,证实了理论上对此材料储氢能力的预言.
- 祝兆文侯杰郑涛马宏骥聂锐丁富荣
- 关键词：加速器飞行时间二次离子质谱
- MeV离子轰击碳样品引起的碳氢团簇产额
- 2014年
- 利用北京大学2×1.7MV静电串列加速器产生的1.5MeV Au2+和Si+束流轰击碳纳米管样品,用二次离子飞行时间质谱方法分析了二次离子成分,通过质量已知的样品的定标,确认了轰击产生的二次离子质量。分析束流轰击后的二次离子产额,发现在此能量下二次离子产额与离子在物质中射程的横向歧离表现出正相关。
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- 关键词：二次离子质谱飞行时间
