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p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：3: 2010年; 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.; 毛清华江风益程海英郑畅达; 关键词：绿光LED

硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究: 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料,并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED),研究了主波长(WLD)分别为51...; 王光绪熊传兵刘彦松程海英刘军林江风益; 关键词：GAN 绿光LED 硅衬底单量子阱量子效率; 文献传递

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江西省研究生创新基金(YC09A024)