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广东省科技计划工业攻关项目(2011B010400022)

作品数:4 被引量:8H指数:1
相关作者:赵灵智陈心满李方芳牛巧利牛巧莉更多>>
相关机构:华南师范大学中山大学上海师范大学更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电池
  • 1篇电子结构
  • 1篇电阻
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇子结构
  • 1篇锂离子
  • 1篇锂离子电池
  • 1篇物理机制
  • 1篇离子
  • 1篇离子电池
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇非挥发性存储...
  • 1篇负极

机构

  • 4篇华南师范大学
  • 1篇上海师范大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 4篇赵灵智
  • 2篇陈心满
  • 1篇刘咏梅
  • 1篇伍广亨
  • 1篇牛巧利
  • 1篇姜如青
  • 1篇李方芳
  • 1篇周洪
  • 1篇牛巧莉

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇电源技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇华南师范大学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件
2012年
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。
陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉
关键词:ZNO本征缺陷
SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 - 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 - 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.
刘咏梅赵灵智姜如青覃坤南
关键词:SNS第一性原理计算电子结构光学性质
石墨烯的制备及其在锂电池负极材料中的应用被引量:7
2013年
石墨烯因其高导电、导热效应等而备受储能领域的关注,其复合材料用作锂离子电池负极材料时显著提升了锂离子电池的电化学性能。综述了石墨烯的制备方法及石墨烯基复合负极材料的研究进展。
李方芳赵灵智
关键词:锂离子电池负极材料石墨烯
基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述被引量:1
2012年
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。
陈心满赵灵智牛巧利
共1页<1>
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