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溶液法制备的氧化锌多层膜及其场效应性质(英文)被引量：5: 2010年; 通过旋涂法,采用不同浓度的前躯体制备了氧化锌多层膜,并制备了基于此多层膜的薄膜晶体管器件.实验证明,基于按照氧化锌前躯体浓度顺序为0.25、0.10和0.05 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的晶体管器件的载流子迁移率为0.02 cm.2V-.1s-1,高于按照浓度顺序为0.05、0.10和0.25 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率(0.013 cm2.V-.1s-1).原子力显微镜(AFM)结果表明,前一种薄膜粗糙度的均方根值(rms)为3.95 nm,而后一种薄膜粗糙度的rms远远高于前者,为4.52 nm,这就说明了氧化锌薄膜的粗糙度对薄膜的半导体性质有很大的影响,这是由于平整的薄膜有利于形成理想的源/漏电极与半导体层的接触.在晶体管中,起传输作用的半导体层是靠近ZnO/SiO2界面处的几纳米的半导体层中的氧化锌晶粒,因此起始形成的氧化锌薄膜的结晶度影响着晶体管的性能.采用X射线衍射(XRD)测试了多层膜中起始形成的薄膜的结晶性能.对于前一种薄膜,起始形成的薄膜为多晶薄膜,而对于后一种薄膜,起始形成的薄膜是无定形薄膜.因此,粗糙度以及起始形成的薄膜的结晶度影响着多层半导体薄膜的性质.; 王小燕董桂芳乔娟王立铎邱勇; 关键词：氧化锌多层膜场效应薄膜晶体管

Organic optocouplers被引量：2: 2011年; Organic optocoupler(OOC) or organic photocoupler,optical coupler is a novel and one of the most promising organic optoelectronic devices for its well electrical isolation and anti-jamming ability in long-distance and real-time digital communications.The performance parameters of OOC were greatly raised during the past decade,and its development was strongly associated with basic organic devices such as organic light emitting diodes(OLED),organic photodiodes(OPD) and organic phototransistors(OPT) etc.Here we describe the principles of OOC,review recent breakthroughs in this field,and summarize the photosensor and light emitting parts which could be used in the device.Key technical points,such as current transfer ratio,frequency,matching and stability were also discussed in this paper.; SUN QiuJianDONG GuiFangWANG LiDuoQIU Yong; 关键词：PHOTOTRANSISTORS

Ir配合物染料调节有机发光二极管发光特性被引量：1: 2016年; 为了研究有机发光二极管(OLED)中发光特性与材料能带结构的关系,把不同的Ir配合物染料掺杂到结构相同的OLED器件中。OLED结构为ITO/NPB/CBP∶染料/TPBi/Mg∶Ag/Ag,染料分别为Ir(MDQ)2(acac)、Ir(ppy)3和Firpic。实验表明,这3种染料对应的掺杂器件分别发红光、绿光和蓝光。3个器件的阈值电压基本一致((6$0.1)V),但是,在100 cd/m2亮度下,绿光器件外量子效率最高(7.64%),蓝光器件外量子效率(5.65%)与绿光相近,红光器件外量子效率最低(2.75%)。分析认为,由于染料的掺杂浓度低,器件结构和载流子传输特性变化小,因而掺杂对阈值电压影响小;CBP与掺杂染料间存在能量转移,红色染料能级差小,非辐射跃迁几率大,发光效率最低;相比于绿光,蓝色染料能级差大,跃迁几率小,因此发光效率比绿光低。实验还发现,染料的发光波长与其能级差相比有红移现象,分析认为,这是由激发态能量振动弛豫和系间窜越过程形成的。; 周思成高景宣马舒杨赵思萌吕京繁田苗张东东赵欣如; 关键词：有机染料有机发光二极管掺杂

吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用(英文)被引量：2: 2011年; 研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变,从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5cm2·V-1·s-1量级提高到10-3cm2·V-1·s-1量级.顶接触结构单晶器件获得了7.8×10-2cm2·V-1·s-1的迁移率.未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.; 孙秋健董桂芳郑海洋赵昊岩乔娟段炼王立铎张复实邱勇; 关键词：有机晶体管旋涂单晶退火

旋涂水溶液前驱体制备氧化锌薄膜及其性质(英文)被引量：1: 2010年; 通过旋涂法,采用Zn(OAc)2·2H2O和聚环氧乙烷(PEO)的水溶液为前驱体在不同的热处理温度下制备了ZnO薄膜.PEO的加入增加了溶液的成膜性,其较低的热分解温度有利于制得纯净的ZnO薄膜.文中考察了在不同热处理温度下制备的ZnO薄膜的形貌、结晶性、带隙(Eg)以及电导性.原子力显微镜(AFM)测试表明在热处理温度为400、450和500℃制备的ZnO薄膜的粗糙度均方根值分别为3.3、2.7和3.6nm.采用透射电子显微镜(TEM)测试发现ZnO薄膜中含有大量纳晶粒子.通过测试ZnO薄膜的UV-Vis吸收光谱,根据薄膜位于373nm处的吸收带边计算得到ZnO的带隙为3.3eV.通过对薄膜的电流-电压(I-V)曲线的测试计算得到在热处理温度为400、450和500℃制备的ZnO薄膜的电阻率分别为3.3×109、2.7×109和6.6×109Ω·cm.450℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最小,主要是由于较高的热处理温度有利于提高薄膜的纯度、密度和吸附氧.而纯度较高、密度较大的薄膜电阻率比较小;吸附氧含量增加,晶界势垒增大,电阻率增大.因此在纯度和吸附氧的双重作用下450℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最小,而500℃时制备的ZnO薄膜的电阻率最大.; 王小燕董桂芳乔娟段炼王立铎邱勇; 关键词：水溶液带隙电导性

溶液法制备氧化锌半导体薄膜及其顶栅极晶体管器件被引量：1: 2009年; 采用旋涂法用浓度分别为0.05,0.10和0.25mol·L-1的氧化锌前躯体溶液制备了氧化锌薄膜,并且制备了基于氧化锌多层膜的顶栅极晶体管器件,其中以利用光刻工艺刻蚀的氧化铟锡为源漏电极。通过原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射(XRD)分别表征了薄膜的形貌以及结晶情况,并且讨论了前躯体的浓度顺序对氧化锌多层膜的影响。按照浓度从大到小的顺序依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜表现出了较高的载流子迁移率(7.1×10-3cm2·V-1·s-1),而按照浓度从小到大的顺序依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率为5.2×10-3cm2·V-1·s-1。文中通过对两种多层薄膜的形貌和结晶性能的分析表明影响顶栅极薄膜晶体管性能的主要因素是薄膜的粗糙度。平整的薄膜有利于形成较好的半导体层/绝缘层接触界面,从而有利于提高器件的载流子迁移率。; 王小燕董桂芳乔娟王立铎邱勇; 关键词：氧化锌

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国家自然科学基金(60877026)