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量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟: 2008年; 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.; 刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基; 关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程

控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3: 2008年; 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.; 丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基; 关键词：二氧化硅纳米硅

自动阈值分割算法在毫米波图象处理中的应用: 应用毫米波焦平面成像技术来加强安检领域对隐匿武器的检测已经成为国内外技术研究的热点。针对毫米波图像受到目标和背景材料反射特性以及遮盖物的影响,原始的毫米波成像图像比较模糊;目标和背景界限不清;同时还存在有大量的干扰信号的...; 赵志强苏品刚尚丽; 关键词：二值化图象处理; 文献传递

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应: 2011年; 基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.; 张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞

自动阈值分割算法在毫米波图象处理中的应用: 应用毫米波焦平面成像技术来加强安检领域对隐匿武器的检测已经成为国内外技术研究的热点。针对毫米波图像受到目标和背景材料反射特性以及遮盖物的影响,原始的毫米波成像图像比较模糊;目标和背景界限不清;同时还存在有大量的干扰信号的...; 赵志强苏品刚尚丽; 关键词：二值化图象处理; 文献传递

基于毫米波焦平面成像系统的隐匿武器检测被引量：1: 2011年; 为了加强安检领域中对隐匿武器的检测,引入了一种主动式毫米波焦平面成像系统的实验样机.介绍了其原理和结构,并以机场和海关等场合的安检为应用背景,对该系统采集到的图像,应用自动阈值分割、数字形态学的算法进行了目标和背景分离并提取出目标图像的实验.结果表明,该系统能够获得隐匿武器的外形图像,从处理后的图像中能够清晰地识别出目标的性质.; 赵志强苏品刚尚丽; 关键词：焦平面图像处理

The origin of blue photoluminescence from nc-Si/SiO_2 multilayers: 2008年; Intensive blue photoluminescence （PL） was observed at room temperature from the nanocrystalline-Si/SiO2 （nc-Si/SiO2） multilayers （MLs） obtained by thermal annealing of SiO/SiO2 MLs for the first time. By controlling the size of nc-Si formed in SiO sublayer from 3.5 to 1.5 nm, the PL peak blueshifts from 457 to 411 nm. Combining the analysis of TEM, Raman and absorption measurement, this paper attributes the blue PL to multiple luminescent centres at the interface of nc-Si and SiO2.; 马忠元郭四华陈德媛魏德远姚瑶周江黄锐李伟徐骏徐岭黄信凡陈坤基冯端; 关键词：PL NC-SI

基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制被引量：8: 2007年; 以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE),以氧气为气源,利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用,通过改变刻蚀时间,制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列;接着以此二维PS胶体单层膜为掩模,以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀;最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明:改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间,可以控制硅柱的尺寸以及形貌,而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径.; 李卫徐岭孙萍赵伟明黄信凡徐骏陈坤基; 关键词：形貌控制

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国家自然科学基金(60571008)