国防科技重点实验室基金(9140C1402030803)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：孔月婵吕彬义陈磊陈辰刘军更多>>
- 相关机构：杭州电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
- 2010年
- 对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.
- 程知群周肖鹏胡莎周伟坚张胜
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管复合沟道
- 基于表面势的HEMT模型分析被引量：1
- 2010年
- 将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
- 吕彬义孙玲玲孔月婵陈辰刘军陈磊
- 关键词：表面势泊松方程
