湖北省自然科学基金(2002AB032)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能
- 2004年
- 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.
- 杨晓非游龙李震林更琪李佐宜
- 关键词：磁记录介质射频磁控溅射
- CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能
- 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xdNbx/CrTi/c/GlassSubstrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高...
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- 关键词：磁记录介质射频磁控溅射
- 文献传递
