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北京市教委科技发展计划(KM200710005015)
北京市教委科技发展计划(KM200710005015)
- 作品数：20 被引量：29H指数：3
- 相关作者：谢红云金冬月沈珮陈亮李佳更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计
- 本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计(符合...
- 王扬张万荣谢红云金冬月张蔚何丽剑沙永萍
- 关键词：优化设计热模拟
- 文献传递
- 3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
- 2009年
- 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间,输入输出反射系数（S11和S22）均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定。所有结果表明该LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁
- 关键词：射频放大器低噪声放大器超宽带SIGEHBTS
- 能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
- 2011年
- 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性。研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGeHBT内部产生了热电负反馈效应的结果。在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小。这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云
- 关键词：SIGEHBT镇流电阻
- 高阻硅低损耗微波共面波导传输线
- 为满足10Gbit/s光纤通信系统光电器件的封装要求,本文给出了三种不同硅衬底上微波共面波导（Coplanar Waveguide,CPW）的设计和制备,包括普通的低阻硅（Low Resitivity Silicon,L...
- 谢红云张蔚何莉剑杨华王扬沙永萍甘军宁张万荣
- 关键词：共面波导高阻硅微波传输
- 文献传递
- 一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1
- 2009年
- 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0～2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。
- 甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳
- 关键词：可变增益SIGEHBT
- 一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
- 2013年
- 提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。
- 邢光辉张万荣谢红云丁春宝陈亮郭振杰路志义张瑜洁周永强
- 关键词：超宽带有源衰减器可调衰减器SIGEHBT
- 基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
- 2008年
- 基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5·2GHz下,LNA噪声系数F为1·5dB,增益S21达到12·6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云张蔚沈珮甘军宁
- 关键词：低噪声放大器IEEE802.11A
- 基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响被引量：4
- 2012年
- 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究.研究发现,在Ge组分总量一定的条件下,随着Ge组分梯度的增大,器件的特征频率明显提高,增益β和特征频率fΤ随温度变化变弱,器件温度分布的均匀性变好,但增益变小;而基区均匀Ge组分(Ge组分梯度为零)的HBT的增益较大,但随温度的变化较大,器件温度分布的均匀性也较差.在此基础上,将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合,提出了兼顾器件热学特性、增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布-分段分布结构.结果表明,相比于基区Ge组分均匀分布的器件,新器件温度明显降低;β和fΤ保持了较高的值,且随温度的变化也较小,显示了新结构器件的优越性.这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义,是对SiGe HBT性能研究的一个补充.
- 赵昕张万荣金冬月付强陈亮谢红云张瑜洁
- 关键词：热学特性GE组分分布
- 基于DFB激光器的光学微波信号的产生
- 2008年
- 采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光器的电流大小,可以得到从13GHz到42GHz连续可调的光学微波信号.
- 谢红云金冬月何莉剑张蔚王路张万荣王圩
- 关键词：分布反馈激光器拍频
- Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：3
- 2013年
- 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.
- 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义
- 关键词：温度特性GE组分分布
