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上海市浦江人才计划项目(09PJ1407800)

作品数:5 被引量:34H指数:3
相关作者:朱亦鸣何波涌彭滟陈麟陈宏彦更多>>
相关机构:上海理工大学上海交通大学上海先进半导体制造股份有限公司更多>>
发文基金:上海市浦江人才计划项目上海市教育委员会创新基金上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇激光
  • 2篇光学
  • 1篇载流子
  • 1篇增益
  • 1篇烧蚀
  • 1篇砷化镓
  • 1篇衰减全反射
  • 1篇条纹
  • 1篇谱学
  • 1篇全反射
  • 1篇脉冲
  • 1篇金属
  • 1篇互连
  • 1篇互连线
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光脉冲
  • 1篇激光烧蚀
  • 1篇光技术
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱学

机构

  • 5篇上海理工大学
  • 3篇上海交通大学
  • 1篇上海先进半导...

作者

  • 4篇朱亦鸣
  • 2篇陈麟
  • 2篇何波涌
  • 2篇彭滟
  • 1篇吴文威
  • 1篇张大伟
  • 1篇倪争技
  • 1篇袁明辉
  • 1篇徐嘉明
  • 1篇阮召崧
  • 1篇陈宏彦
  • 1篇尤美琳
  • 1篇王淑玲

传媒

  • 3篇中国激光
  • 1篇光学技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
对称金属包覆结构中反射光干涉效应的研究被引量:1
2010年
提出了一种可同时达到高对比度和高反射率的对称金属包覆结构。由于导波层的厚度是亚毫米量级,使该结构可容纳一系列共振模。利用四层波导菲涅耳公式,详细分析了耦合金属层的厚度对耦合效率的影响,给出了反射光达到最大对比度时耦合金属层厚度的最优值,并从物理的角度解释了这种现象产生的原因是对称金属包覆结构中的辐射损耗和本征损耗共同作用的结果。实验测量了对称金属包覆结构中反射光的干涉效应。结果表明,对称金属包覆结构可以大大增强反射光的干涉条纹中明、暗光线的对比度,同时光入射到对称金属包覆结构中的耦合效率可接近100%。这将有助于研究高对比度高反射率薄膜和基于对称金属包覆结构的传感器。
陈麟彭滟袁明辉朱亦鸣
关键词:波导干涉条纹衰减全反射
金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策被引量:1
2012年
集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。
尤美琳朱亦鸣
飞秒激光烧蚀硅表面产生微纳结构过程中激光脉冲数目的影响被引量:7
2011年
为了研究飞秒激光脉冲数目与硅表面形貌之间的关系,在相同的SF6气体氛围下,改变照射硅表面的飞秒激光脉冲数,发现在飞秒激光照射下由硅表面形成的微型锥状尖峰的高度与飞秒激光脉冲数呈现一种非线性关系。通过对该关系的研究有利于找出在制造具有较高吸收效率的高微型锥状尖峰的"黑硅"的实验条件,有利于基于"黑硅"材料的光电器件转化效率的提高。
阮召崧彭滟朱亦鸣何波涌
关键词:光学材料飞秒激光脉冲
“黑硅”表面特殊锥状尖峰结构的制备及其光学模型仿真被引量:19
2011年
为了更好地理解"黑硅"材料高吸收效率的物理原因,在成功制备了表面具有不同高度的锥状尖峰结构的"黑硅"材料基础上,利用扫描电子显微镜(SEM)获得锥状尖峰的几何参数,并根据该参数进行"黑硅"表面特殊结构建模,计算出"黑硅"材料有效吸收表面积相对于普通平面硅材料的有效吸收表面积增加了20多倍;同时根据表面建模和几何光学的方法在200-2000 nm的光谱范围内进行了反射率仿真,仿真结果与实验测试数据较为接近,从而在理论上验证了该特殊结构的强吸收性是由飞秒激光加工的硅材料有效吸收表面积增加和"黑硅"结构的陷光效应而引起的。
吴文威徐嘉明陈宏彦
关键词:激光技术
砷化镓内电子谷间散射引起的增益被引量:6
2010年
运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中辐射出的和电子加速度/减速度成正比的太赫兹电磁波,表现出双极特性。通过分析砷化镓中辐射出的太赫兹波的傅里叶变换谱,在实验上得到阶跃电场下的砷化镓内因电子谷间散射而引起的增益极限频率,可以达到约750 GHz(10 K)。同时通过测量极限频率和温度的关系,发现极限频率是电子经由纵光学声子从L谷到Γ谷的散射能量弛豫过程所需要的时间决定的。通过理论计算电子在Γ谷的弹道加速、电子谷间散射和电子经由纵光学声子连续散射在Γ谷的弛豫等过程的时间得出的增益极限频率与实验值吻合得较好。
倪争技陈麟王淑玲张大伟何波涌朱亦鸣
关键词:光谱学砷化镓增益非平衡载流子
共1页<1>
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