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教育部留学回国人员科研启动基金(669022)

作品数：2 被引量：5H指数：1
相关作者：方晓玲刘伟晏春愉张佳雯高斐更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇铝诱导晶化
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间
  • 1篇晶化
  • 1篇晶化机理
  • 1篇晶化率
  • 1篇化机
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜

机构

  • 2篇陕西师范大学

作者

  • 2篇王建军
  • 2篇高斐
  • 2篇张佳雯
  • 2篇晏春愉
  • 2篇刘伟
  • 2篇方晓玲

传媒

  • 1篇现代显示
  • 1篇陕西师范大学...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜被引量：1
2008年
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响。
刘伟高斐方晓玲王建军张佳雯晏春愉
关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜晶化机理
铝诱导晶化非晶硅薄膜研究被引量：4
2007年
应用晶化非晶硅(a-Si)薄膜铝诱导方法,采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、光学显微镜(Optical Microscopy,OM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)等测试手段,研究了退火条件对样品晶化的影响.结果表明,样品在300℃下退火后仍为非晶态;退火温度为400℃时,样品开始晶化.随着退火时间的增加,薄膜晶化程度越来越高,晶粒越来越大,同时薄膜表面粗糙度增加.
刘伟高斐方晓玲王建军张佳雯晏春愉
关键词：铝诱导晶化非晶硅薄膜晶化率退火时间
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共1页<1>
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