国家重点基础研究发展计划(2006CB302801)
- 作品数：8 被引量：177H指数：5
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- AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响被引量：4
- 2009年
- 研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台阶数目增多而发生蓝移,这些变化都反映出GaN中残余张应力的减小.此外,原子力显微镜测试表明样品表面起伏和粗糙度也都随着插入层的引入和台阶数目的增多得到了明显的改善.
- 江洋罗毅席光义汪莱李洪涛赵维韩彦军
- 关键词：残余应力表面形貌SIC衬底
- 柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7
- 2009年
- 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
- 江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓
- 应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究
- 2007年
- 针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.
- 张明俊孙长征蔡鹏飞熊兵罗毅
- 关键词：阻抗匹配接触电阻比接触电阻率
- AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3
- 2008年
- 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.
- 席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅
- 关键词：ALGAN/GAN电流崩塌
- 窄线宽半导体激光器件被引量：13
- 2007年
- 分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。
- 罗毅黄缙孙长征
- 关键词：窄线宽DFB激光器DBR激光器外腔激光器
- LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响被引量：7
- 2010年
- 直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力。研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能分辨范围(CIE1976色坐标体系Δu′v′小于0.005),LED的主波长波动范围应低于5nm,背光源不同位置的最大温差应低于8℃。
- 刘煜原罗毅韩彦军钱可元
- 关键词：色差
- 大功率LED结温测量及发光特性研究被引量：56
- 2008年
- 介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究。结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻。结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重。
- 费翔钱可元罗毅
- 关键词：结温大功率LED光效
- 半导体照明中的非成像光学及其应用被引量：88
- 2008年
- 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。
- 罗毅张贤鹏王霖杨毅胡飞钱可元韩彦军李旭亮张志海邓国强
- 关键词：半导体照明氮化镓发光二极管
