国际科技合作与交流专项项目(2006DFA73350)
- 作品数：3 被引量：12H指数：3
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- 相关机构：清华大学清华大学研究院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：机械工程更多>>
- 颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响被引量：5
- 2007年
- 硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明：用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度（Ra）和表面波纹度（Wa）大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0-3.0之间。
- 孙家振潘国顺朱永华戴媛静雒建斌李维民
- 关键词：化学机械抛光材料去除率
- 抛光液pH值等对硬盘玻璃盘基片化学机械抛光的影响被引量：4
- 2007年
- 随着硬盘存储密度的增大、转速的提高、磁头飞行高度的降低,对硬盘基板材料及基板表面质量提出了更高的要求。采用纳米SiO2作为抛光磨料,在不同抛光液条件下(pH值、表面活性剂、润滑剂等),对玻璃基片化学机械抛光去除速率和表面质量的变化规律进行了研究,并利用原子力显微镜(AFM)和光学显微镜观察了抛光表面的微观形貌。结果表明,玻璃基片去除速率在酸性、碱性条件下变化趋势相近,即随着pH值的升高,材料去除速率先增大后减小。加入一定量的表面活性剂和润滑剂使得去除速率有一定程度的下降,但是表面粗糙度明显降低,并且表面没有出现颗粒吸附现象。
- 朱永华潘国顺戴媛静雒建斌刘岩
- 关键词：化学机械抛光表面粗糙度
- 聚苯乙烯(PS)颗粒抛光液特性对铜表面化学机械抛光的影响被引量：3
- 2010年
- 铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求。为改善铜层化学机械抛光(Cu-CMP)效果,将聚苯乙烯(PS)颗粒应用于铜的化学机械抛光液,分析PS颗粒抛光液中氧化剂、络合剂、pH值、粒径及颗粒含量对铜的化学机械抛光性能的影响,并通过静态腐蚀及电化学手段对PS颗粒在抛光液中的化学作用进行了分析。实验结果表明,当以过氧化氢(H2O2)为氧化剂,氨基乙酸(C2H5NO2)为络合剂时,优化后的PS颗粒抛光液取得了较高的铜抛光去除速率,达到1μm/min,同时发现PS颗粒的加入增强了抛光液的化学腐蚀作用。
- 龚剑锋潘国顺戴媛静刘岩
- 关键词：化学机械抛光去除速率
