江苏省自然科学基金(SBK201121728)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
- 2012年
- 以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。
- 朱顺明黄时敏顾书林朱振邦顾然郑有炓
- ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
- 2012年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
- 朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓
- 关键词：异质结场效应管迁移率
