国家重点基础研究发展计划(2013CB632102)
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
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- 扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能被引量：1
- 2014年
- 采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。
- 李斯高宇晗梁峰李东升杨德仁
- SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量：1
- 2014年
- 通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
- 蒋昊天杨扬汪粲星朱辰马向阳杨德仁
- 关键词：SNO2电致发光
- 氩等离子体处理增强TiO_2∶Er/p^+-Si异质结器件的电致发光
- 2017年
- 在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p^+-Si)上掺Er的TiO_2(TiO_2∶Er)薄膜的TiO_2∶Er/p^+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO_2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO_2∶Er/p^+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO_2∶Er/p^+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO_2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO_2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO_2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。
- 高志飞朱辰马向阳杨德仁
- 关键词：电致发光
- 热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响
- 2018年
- 利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处理温度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致发光发生了明显红移。这表明薄膜的光致发光来源逐渐由薄膜中的发光中心演变为硅纳米晶。在经过1100℃热处理的未掺杂与掺硼样品中,掺硼样品光致发光强度有明显减弱,这是由俄歇复合效应引起的。此外,在ESR测试谱中,掺硼样品的g因子为2.0020,这表明掺硼可以在薄膜基体和硅纳米晶之间的界面引入发光中心。
- 刘国华高宇晗曹佳浩李东升杨德仁
- 关键词：热处理温度掺硼发光中心硅纳米晶
- 硅基光电子发光材料与器件被引量：4
- 2017年
- 用光子作为信息载体的光互连是硅集成电路的发展趋势之一,而硅基光互连的实现,必须发展与当前集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源.本文概述了近年来国际上硅基光源的主要研究成果,重点介绍了我们研究组在硅量子点、硅晶体缺陷、硅基氮氧化物薄膜和硅基氧化物半导体薄膜发光材料与器件等方面的研究进展.
- 曹佳浩李东升皮孝东马向阳杨德仁
- 关键词：光源
- 脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射被引量：3
- 2013年
- 分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜,用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、表面形貌和光致发光等进行了表征.进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射.结果表明,与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比,以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率.这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少,从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗.
- 徐韵李云鹏金璐马向阳杨德仁
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积
- 硅基光源的研究进展被引量：9
- 2015年
- 随着人们对大容量、高速和低成本的信息传播的要求越来越迫切,近年来硅基光电子学得以蓬勃发展,但硅基光源一直没有得到真正的解决,成为制约硅基光电子学发展的瓶颈.硅的间接带隙本质给高效硅基光源的实现带来很大困难,实用化的硅基激光是半导体科学家长期奋斗的目标.本文分别介绍了硅基发光材料、硅基发光二极管和硅基激光的研究进展,最后总结了目前各种硅基光源面临的问题和未来的发展方向.
- 沈浩李东升杨德仁
- 关键词：硅基发光材料光电集成
- 长发光寿命铒硅酸盐的制备及其光学性质
- 硅的间接带隙本质致使其发光效率很低，这使得用于硅基光电集成的通信波段的波导放大器及高效紧凑的光源充满挑战。硅基掺铒材料的发光波长是1.5μm，刚好对应于硅基光电集成中波导的最低损耗窗口，是解决以上难题的一个理想方案。但是...
- 沈浩
- 文献传递
- 硅含量对SiO_x薄膜光学和电学性能的影响被引量：5
- 2013年
- 利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1
- 陈乐谢敏金璐王锋杨德仁
- 关键词：射频磁控溅射富硅氧化硅硅纳米晶光致发光
