目的：利用Hoechst33342/PI双染法和原位末端标记法（TUNEL染色检测纳米二氧化硅（nm-SiO2）对神经细胞凋亡的影响，比较两种检测方法的优缺点。方法：以体外培养的人神经母细胞瘤SK-N-SH为研究对象，15和30 nm粒径的nm-SiO2（剂量为2.5、5、10μg/mL）分别处理细胞24 h，另设1-5 m SiO2组和溶剂对照组，采用Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色检测各处理组对SK-N-SH细胞凋亡的影响。结果：与对照组相比，两种检测方法分析均显示了nm-SiO2处理组SK-N-SH细胞凋亡率显著增加（P〈0.05），且具有尺寸、剂量依赖性，而微米级SiO2对凋亡的影响不显著（P〉0.05）。结论：nm-SiO2能诱导SK-N-SH细胞凋亡。Hoechst33342/PI双染法特异性高，简单易行；TUNEL法灵敏度高，能检测少量的细胞凋亡，但成本较高，两种方法可结合使用以便更加准确的检测神经细胞的凋亡。
