国家自然科学基金(11274218) 作品数:11 被引量:15 H指数:3 相关作者: 王江涌 刘毅 林冰 黄琳 宋一兵 更多>> 相关机构: 汕头大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 广东省科技计划工业攻关项目 更多>> 相关领域: 一般工业技术 金属学及工艺 机械工程 医药卫生 更多>>
高度分布函数与自相关函数对表面粗糙度参数的影响 被引量:5 2017年 目的研究具有不同高度分布和自相关函数的表面形貌的粗糙度参数变化。方法利用数字滤波法构造具有特定参数(如倾斜度、峰值、最快下降自相关长度和纹理高宽比、高度方差)的粗糙度表面,然后比较和分析不同类型形貌的参数。结果算术平均峰曲率不随高度分布函数和自相关函数变化,均方根斜率、界面开发面积比和峰密度随各种高度分布函数和自相关函数变化的影响较大。结论算术平均峰曲率不能表征高度分布和自相关函数。比较相同高度分布的表面形貌时,应对纹理高宽比、最快下降自相关长度、均方根斜率、界面开发面积比和峰密度进行比较。当比较不同高度分布的形貌时,应该对高度类参数倾斜度、峰值、高度均方根、最大高度、最大谷值和最大峰高进行比较。 林炜轩 王江涌关键词:自相关函数 薄膜中的扩散与应力模型 2016年 扩散会产生应力,而产生的或内禀的应力又会影响扩散,这在薄膜材料中表现的尤为突出。本文介绍了常见的几个扩散模型和应力模型,并通过热力学的方法推导出了应力条件下的扩散方程。随后采用有限元差分方法模拟了不同应力模型下的扩散分布。 林冰 戴钟保 高梦滢 王江涌关键词:扩散 SIMS溅射深度剖析的定量分析 被引量:4 2015年 本文综述了二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)溅射深度剖析的发展历史,介绍了SIMS溅射深度剖析的定量分析方法。对两个最常用于SIMS溅射深度剖析定量分析的理论模型——Hofmann提出的MRI(Mixing-Roughness-Information depth)模型和Dowsett等人提出的响应函数进行了对比分析。 康红利 劳珏斌 刘毅 王江涌关键词:SIMS 响应函数 界面热力学在Sn晶须生长研究中的应用 被引量:2 2015年 目的研究金属间化合物与Sn晶须在Sn-Cu薄膜体系中形成的热力学机制。方法利用界面热力学理论,通过计算相应的表面能、界面能和临界厚度,研究金属间化合物的形成与Sn晶须的生长过程。结果金属间化合物Cu6Sn5先在Sn晶界与Cu/Sn界面交界处形成,然后沿着Cu/Sn界面生长;产生的应力梯度驱动Sn原子扩散至表面,形成Sn晶须。结论 Sn晶须的生长源于Sn层中金属间化合物的生成,并由此提出了抑制Sn晶须生长的方法 。 林冰 黄琳 简玮 王江涌关键词:SN晶须 溅射深度剖析定量分析及其应用研究进展 被引量:6 2016年 溅射深度剖析技术已广泛应用于薄膜材料与功能多层膜结构中成分深度分布的表征,但由于其涉及复杂的溅射过程,样品形貌的多样性,探测信号来自距样品表层不同的深度,新溅射技术的频出,以及其应用范围不断的扩大,使得深度剖析定量分析的研究方兴未艾.本文首先回顾了深度剖析定量分析方法的发展过程,特别对其中的"原子混合(Mixing)-粗糙度(Roughness)-信息深度(Information)"(MRI)模型建立的物理背景,以及为满足高分辨率深度剖析数据的定量分析所进行的拓展进行了详细的论述.给出了利用深度剖析定量分析方法确定深度分辨率、超晶格及分子结构的重构、多层膜界面间粗糙度及薄膜中扩散系数的实例. 康红利 简玮 韩逸山 刘毅 王江涌利用遗传算法定量分析Ni/Cr多层膜俄歇深度谱 被引量:2 2021年 在MRI模型框架下,将遗传算法与卷积及TV-Tikhonov正则化反卷积方法结合,对Ni/Cr多层膜样品在旋转和非旋转条件下测量的俄歇(AES)深度谱进行了定量分析,确定了膜层间的界面粗糙度,重构的原始膜层结构与高分辨透射电镜测量的结果非常好的吻合。 李静 谭张华 刘星星 陈颖琳 李豪文 杨浩 王昌林 王江涌 徐从康关键词:遗传算法 卷积 反卷积 辉光放电发射光谱高分辨率深度谱的定量分析 被引量:2 2021年 介绍了辉光放电发射光谱仪(GDOES)的发展和应用领域,以及测量深度谱定量分析的MRI模型。主要对单晶硅表面自然氧化的SiO2层、单层硫脲分子和Mo/B4C/Si多层光学膜进行了GDOES高分辨率深度谱的定量分析,由此获得了膜层结构、界面粗糙度及元素溅射速率等定量信息。同时,对Mo/Si多层膜GDOES与SMIS深度分辨率进行了比较,最后展望了GDOES和MRI模型的发展趋势。 杨浩 马泽钦 蒋洁 李镇舟 宋一兵 王江涌 徐从康关键词:纳米多层膜 粗糙度 非高斯高度分布函数构造的表面形貌的表征 被引量:1 2016年 目的研究具有不同高度分布函数的表面形貌粗糙度参数的变化。方法高度分布函数包含了表面形貌的高度信息,通过对其逆运算可重新构建表面形貌。通过统计表征不同高度分布函数所构建的表面形貌的高度类粗糙度参数,并对比分析它们之间的变化关系,从而确定用于准确描述表面形貌的基本高度类参数。结果源于同一种非高斯型的分布函数构建出的表面形貌,部分表征表面形貌的高度类粗糙度参数会保持一致;而源于不同的非高斯型高度分布函数构建出的表面形貌,其部分高度类粗糙度参数(R_a、R_q、R_(sk)、R_(ku))会随高度分布函数形状的变化而发生规律性变化,由此提出了高度类参数简化选择的方式。结论可根据需求选取适当的粗糙度参数来表征表面形貌。对于满足同一高度分布函数的表面形貌,可以通过测量与峰值(谷值)相关的参数(如R_p、R_v等)或高度位置信息相关的参数(如R_(tm)、R_(3y)等),来表征区分不同的表面形貌。对于满足不同高度分布函数的表面形貌,可以通过测量由分布函数确定的参数(R_a、R_q、R_(sk)、R_(ku))来进行初步的表面表征区分,而后再按照需求进行多参数的测量。 李炯 林炜轩 程鹤登 陈榕杰 王江涌关键词:表面形貌 形貌表征 铜镍诱导非晶硅晶化机制研究 2017年 对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a-Si双层薄膜系列样品,并对制备的样品进行了退火处理,然后利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪对样品进行了表征。结果表明,对2个双层膜体系退火,首先生成金属硅化物,然后当温度升高到一定值时才会发生非晶硅晶化。利用界面热力学解释了铜、镍诱导非晶硅晶化的机制,以及金属硅化物在诱导过程中的作用。 崔东庆 简玮 余云鹏 林舜辉 王江涌关键词:金属诱导晶化 金属硅化物 镍 薄膜材料中的界面热力学 2013年 近年来,先进薄膜材料的发展使得界面调控现象成为一个研究热点。本文对定量解释界面调控现象的界面热力学作了综述,其应用的一个例子就是对铝诱导非晶硅晶化的机制给予了定量解释。 简玮 林冰 黄琳 王江涌关键词:界面能 表面能 热力学 相变